電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）2025年1月在CES展上，存儲大廠紛紛秀肌肉，而他們無一例外地展示了其存儲之于AI應用的實力。SK海力士、三星、美光等廠商帶來了最新的技術和產(chǎn)品，他們引領著AI存儲新的方向。

SK海力士

SK海力士在CES展上展示了公司在推動人工智能時代進步方面所推出的變革性存儲器產(chǎn)品。包括SK海力士的HBM、服務器DRAM、eSSD、CXL及PIM產(chǎn)品。

作為領先的HBM供應商，SK海力士公開了16層HBM3E樣品。這是全球容量最大的HBM產(chǎn)品，48GB 16層HBM3E專門針對人工智能學習和推理進行了優(yōu)化。目前，該產(chǎn)品仍處于開發(fā)階段。此外，還有DDR5 RDIMM和MCR DIMM，這兩款高速服務器DRAM模塊是專為數(shù)據(jù)中心環(huán)境量身定制的，能夠提供快速的數(shù)據(jù)處理能力和大容量內(nèi)存支持。

圖源：SK海力士

隨著數(shù)據(jù)存儲在人工智能領域的重要性日益凸顯，SK海力士特別展示了其創(chuàng)新的eSSD解決方案，包括PS1010、PEB110和PE9010。這些產(chǎn)品專為數(shù)據(jù)中心量身定制，具備應對人工智能應用所產(chǎn)生的大規(guī)模數(shù)據(jù)所需的卓越可靠性與快速的讀寫速度。

圖源：SK海力士

此外，SK海力士還展示了其前沿的CXL技術，如CMM-DDR5和CMM-Ax，這些技術正在引領內(nèi)存接口的發(fā)展趨勢，以提升人工智能系統(tǒng)的靈活性與可擴展性。與此同時，還展出了PIM解決方案，包括GDDR6-AiM和AiMX，這是一種高速且低功耗的加速卡，能夠執(zhí)行復雜計算功能，從而徹底革新人工智能環(huán)境中的數(shù)據(jù)處理效率。

同時，SK海力士還展示了其端側(cè)AI解決方案，以彰顯其產(chǎn)品在人工智能服務領域的廣泛應用。這些創(chuàng)新產(chǎn)品包括LPCAMM2、移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0，以及業(yè)界領先的用于端側(cè)AI PC的最高性能固態(tài)硬盤PCB01。通過這一系列展示，SK海力士強調(diào)了這些技術如何憑借卓越的能效實現(xiàn)極致性能，為從移動AI到消費電子等多元化應用提供強有力的支持。

三星

在拉斯維加斯舉行的CES 2025展上，三星展示全系列以人工智能驅(qū)動的智能產(chǎn)品，這些產(chǎn)品已被重新構(gòu)想，以塑造一個更可持續(xù)和更易于訪問的世界，連接最好的技術和生活方式。早前，其10.7Gbps LPDDR5X DRAM產(chǎn)品獲得了2025年CES創(chuàng)新獎。

三星開發(fā)出的業(yè)界首款12納米級LPDDR5X DRAM，支持高達10.7Gbps的業(yè)界最快速度。LPDDR5X具有高性能和業(yè)界最小的芯片尺寸，針對下一代端側(cè)AI應用進行了優(yōu)化。三星存儲器產(chǎn)品策劃團隊項目負責人JunYoung Lee和首席工程師JinSuk Chung對LPDDR5X的技術特點進行了解讀。

LPDDR5X是一種針對智能手機、平板電腦和筆記本電腦等需要高性能的端側(cè)AI優(yōu)化的內(nèi)存解決方案。設計關鍵是創(chuàng)造一種具有較低的耗電量及提供增強性能的薄型芯片。LPDDR5X通過從策劃到設計、工藝、PKG技術等與各開發(fā)部門的合作，實現(xiàn)了業(yè)界最快的10.7Gbps速度和業(yè)界最薄的0.65mm厚度。

為了實現(xiàn)業(yè)界最快的10.7Gbps速度，必須確保高速數(shù)據(jù)傳輸輸入輸出電路的性能。 此外，它還利用了降低內(nèi)部運行電壓的設計技術，實現(xiàn)高速運行的同時保持低功耗。

三星的F-DVFS（全動態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié)）技術，是通過在特定的周期間隔內(nèi)，將實際數(shù)據(jù)路徑中使用的電壓降低到某個水平以下，來降低信號傳輸所涉及的功耗。 三星的F-DVFS技術擴展了此功能，允許在從最小周期到最大周期的整個范圍內(nèi)調(diào)整電壓。這種靈活性使其更容易根據(jù)運行速度改變電壓，從而最大限度地降低功耗，延長電池壽命。

圖源：三星半導體

三星的LPDDR5X是業(yè)界最薄的12nm級DRAM。為了實現(xiàn)這一目標，將兩個芯片結(jié)合為一個單元，形成四個單元的內(nèi)聚系統(tǒng)，并通過更改保護半導體電路的電路保護材料——EMC（環(huán)氧樹脂模塑料）來進行優(yōu)化。 最后，背面打磨技術的開發(fā)至關重要，該技術通過拋光晶圓背面來保持操作特性和可靠性，同時減少晶圓厚度。

圖源：三星半導體

為了進行開發(fā)和驗證，與客戶合作是至關重要的。三星半導體內(nèi)部，特別是負責低功耗高性能產(chǎn)品設計的DRAM設計團隊，以及為了打造更薄的LPDDR5X而進行不懈研發(fā)的PKG開發(fā)團隊之間的合作協(xié)同效應是非常大的。從內(nèi)部到整個行業(yè)的協(xié)作貫穿于開發(fā)過程中，最終促使了我們的成功，得到CES創(chuàng)新獎。

隨著智能手機市場對可折疊產(chǎn)品的需求不斷增加，消費者正在尋找更纖薄的設備。為了減小設備的厚度，必須減小每個組件的厚度。當組件的厚度減小時，設備內(nèi)部的氣流空間得以增加，從而更容易管理熱量。這使得智能手機能夠在不受因升溫帶來性能限制的情況下進行高性能操作，如游戲。

圖源：三星半導體

三星專家表示，隨著人工智能的進步，運行大規(guī)模服務器的數(shù)據(jù)中心市場正在增長，能效正成為一個關鍵問題。很多人一想到AI內(nèi)存技術就會想到HBM。然而，市場上除了像HBM這種不計功耗、要求最高性能的產(chǎn)品外，對像LPDDR這種在低功耗下也能達到一定性能水平的產(chǎn)品的需求也日益增長。對于替代現(xiàn)有DDR模塊的LP模塊產(chǎn)品（LPCAMM、SOCAMM等）來說也是如此。

與DDR相比，LPDDR在能效和高性能操作方面具有優(yōu)勢，因此使用LPDDR的需求日益增長。 此外，LPDDR在個人電腦中的應用也在增加，并且由于電動汽車和自動駕駛的普及，Auto LPDDR5X在汽車市場的使用也在增加。

三星電子正在積極開發(fā)2026年下一代解決方案LPDDR6。與LPDDR5X相比，LPDDR6將在性能和能效方面進一步升級。另外，LPCAMM、SOCAMM等模塊型產(chǎn)品目前正在與客戶公司進行驗證，正在準備開發(fā)高性能、低功耗DRAM技術，如通過增加數(shù)據(jù)輸入輸出數(shù)量來確保高帶寬的LPW，以及增加計算功能的LP-PIM。 預計這將超越端側(cè)AI，擴展到更廣泛的應用領域。

美光

美光科技在2025CES期間宣布擴大其Crucial消費者內(nèi)存和存儲產(chǎn)品組合，包括推出高速CrucialP510 SSD，并擴大其現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品組合中的密度和外形選項，以提供更廣泛的選擇和靈活性給消費者。P510具有高達11,000/9,550兆字節(jié)每秒(MB/s)的讀寫速度，為大眾帶來了驚人的Gen5性能。

圖源：美光科技

新的SSD產(chǎn)品P510專為筆記本電腦和臺式機設計，采用全新、更省電的架構(gòu)，比之前CrucialGen5 固態(tài)硬盤省電25%，以支持更長的電池壽命。

其快速的讀寫速度使用戶能夠最大限度地提高生產(chǎn)力，并從游戲到創(chuàng)意應用，享受更流暢、更沉浸式的體驗。這款SSD提供1TB和2TB容量選項，帶有集成散熱片。P510還提供了單面設計，易于安裝，即使在支持Gen5的較新筆記本電腦中也是如此。

Crucial系列還推出了帶有散熱片的 Crucial P310 2280 SSD。集成的散熱片設計用于與 PlavStation5配合使用，但也可以用于臺式機，為桌面游戲玩家和創(chuàng)作者提供無限制的卓越性能。該 SSD 的讀取速度為 7,100 MB/S，提供快速、可靠且經(jīng)濟高效的存儲和容量。

小結(jié)：

眼下存儲廠商除了在高帶寬內(nèi)存HBM上競爭激烈、加速HBM4的研發(fā)和量產(chǎn)之外，高速、低功耗的存儲產(chǎn)品在AI應用爆發(fā)的時代更加不可或缺，高性能的存儲產(chǎn)品對于AI數(shù)據(jù)處理、存儲效能至關重要，這將推動存儲技術持續(xù)創(chuàng)新。