通過電光晶體的電光效應，實現白光干涉中的電光調制相移原理，是一個基于物理光學和電光學原理的高級測量技術。以下是對這一原理的詳細解釋：

一、電光效應與電光晶體

電光效應是指某些材料（主要是晶體）在外加電場的作用下，其折射率會發生變化的現象。這種效應是電光調制的基礎。電光晶體是具有顯著電光效應的材料，它們在外加電場的作用下，能夠改變光的傳播特性，如相位、振幅和偏振態。

二、電光調制原理

電光調制是利用電光效應，通過改變外加電場來控制光信號的相位、振幅或偏振態的過程。在白光干涉測量中，電光調制器通常用于實現光波的相位調制。當白光通過電光晶體時，其相位會受到外加電場的影響而發生變化，從而實現電光調制相移。

三、白光干涉與電光調制相移

白光干涉是一種利用光的波動性進行測量的技術。當兩束或多束相干光波在空間某點相遇時，它們會產生干涉現象，形成明暗相間的干涉條紋。這些干涉條紋的位置和形態取決于光波的相位差，而相位差則與光波經過的光程差和調制器的相位調制量有關。

在白光干涉測量中，通過電光調制器實現的電光調制相移原理可以概括為以下幾個步驟：

電光晶體的選擇：選擇具有顯著電光效應的電光晶體，如鈮酸鋰、鉭酸鋰等。這些晶體在外加電場的作用下，能夠顯著改變光的相位。

外加電場的施加：通過外部電路向電光晶體施加一個可控的電場。這個電場可以改變電光晶體的折射率，從而實現對光波的相位調制。

白光干涉的測量：將經過電光調制器調制后的白光引入干涉儀中，與另一束參考光產生干涉。通過觀測干涉條紋的變化，可以計算出相位差，進而得到待測物體的相關信息。

四、應用實例

基于電光調制相移原理的白光干涉測量技術在多個領域具有廣泛的應用：

表面形貌測量：通過測量干涉條紋的變化量，可以精確計算出待測物體表面的微小起伏和缺陷。

薄膜厚度測量：利用白光干涉測量技術可以精確測量薄膜的厚度和均勻性。通過電光調制相移原理，可以實現對薄膜厚度的非接觸式、高精度測量。

光學元件檢測：白光干涉測量技術還可用于檢測光學元件的缺陷、應力分布等。通過觀測干涉條紋的形態和變化，可以判斷光學元件的質量和性能。

五、技術特點與優勢

高精度：電光調制相移原理可以實現納米級別的測量精度，滿足高精度測量的需求。

非接觸式測量：該技術是一種非接觸式的測量方法，不會對被測物體造成損傷，適用于脆弱或易損材料的測量。

快速響應：電光晶體對外加電場的響應速度非常快，可以實現高速測量。

靈活性：通過調整外加電場的強度和方向，可以實現對光波相位的精確控制，從而適應不同測量需求。

綜上所述，通過電光晶體的電光效應實現白光干涉中的電光調制相移原理是一種高精度、非接觸式且快速響應的測量技術。它在表面形貌測量、薄膜厚度測量和光學元件檢測等領域具有廣泛的應用前景和重要的研究價值。

TopMap Micro View白光干涉3D輪廓儀

一款可以“實時”動態/靜態 微納級3D輪廓測量的白光干涉儀

1)一改傳統白光干涉操作復雜的問題，實現一鍵智能聚焦掃描，亞納米精度下實現卓越的重復性表現。

2)系統集成CST連續掃描技術，Z向測量范圍高達100mm，不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率，為復雜形貌測量提供全面解決方案。

3）可搭載多普勒激光測振系統，實現實現“動態”3D輪廓測量。

實際案例

1，優于1nm分辨率，輕松測量硅片表面粗糙度測量，Ra=0.7nm

2，毫米級視野，實現5nm-有機油膜厚度掃描

3，卓越的“高深寬比”測量能力，實現光刻圖形凹槽深度和開口寬度測量。