近日,全球碳化硅(SiC)功率半導體領域的知名制造商SemiQ,正式推出了一款專為中壓大功率轉換應用而設計的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發布的QSiC? 1700V高速平面型D-MOSFET系列,不僅展現了SemiQ在SiC技術領域的深厚積累,更為光伏、風能逆變器、儲能系統、電動汽車及充電設施、不間斷電源(UPS)以及感應加熱和焊接系統等多個領域提供了全新的解決方案。
QSiC? 1700V系列MOSFET以其卓越的性能脫穎而出。該系列產品具備高功率密度和緊湊的系統設計優勢,極大地降低了整體系統成本,為用戶帶來了顯著的經濟效益。同時,這些器件的高可靠性設計也是其一大亮點。內置的體二極管能夠在高達175°C的環境下穩定運行,確保了設備在各種惡劣條件下的穩定性和耐用性。
為了確保產品的長期穩定性和安全性,SemiQ對所有QSiC? 1700V系列器件進行了嚴格的測試。這些器件均經過了超過1900V的高電壓測試和600mJ的UIL雪崩測試,充分證明了其在長時間使用中的可靠性和安全性。
SemiQ表示,此次發布的QSiC? 1700V系列SiC MOSFET新品,是公司不斷創新和追求卓越的結果。未來,SemiQ將繼續致力于SiC功率半導體技術的研發和推廣,為更多領域提供高效、可靠、經濟的解決方案,推動全球能源轉型和綠色可持續發展。
-
MOSFET
+關注
關注
150文章
8449瀏覽量
219498 -
功率半導體
+關注
關注
23文章
1303瀏覽量
43976 -
SemiQ
+關注
關注
0文章
8瀏覽量
130
發布評論請先 登錄
國產1700V SiC MOSFET在電力電子輔助電源中的全面進口替代方案

SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模塊:高效能、超快開關與卓越熱管理

SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模塊,助力緊湊型高性能電源系統

2 kV SiC功率模塊:推動1500 V系統的革命

SemiQ第三代SiC MOSFET:車充與工業應用新突破

泰克與遠山半導體合作推進1700V GaN器件
遠山半導體1700V GaN器件的特性測試方案

MG400V2YMS31700V碳化硅MOSFET模塊,助力實現尺寸更小,效率更高的工業設備

業內首款1700V氮化鎵開關IC登場!高耐壓且效率大于90%,PI是如何做到的

PI推出業界首款1700V氮化鎵開關IC
Power Integrations推出1700V氮化鎵開關IC, 為氮化鎵技術樹立新標桿

新品 | 900A 1700V Wave基板的EconoDUAL? 3 IGBT7 模塊

新品 | 可直接驅動的單端反激式輔助電源用 1700V CoolSiC? MOSFET

評論