電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)從硅產(chǎn)品、碳化硅產(chǎn)品,再到氮化鎵的功率變換開(kāi)關(guān)產(chǎn)品,PI都走在行業(yè)前列。近期,PI推出InnoMux?-2系列單級(jí)、獨(dú)立調(diào)整多路輸出離線式電源IC——1700V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC,這是業(yè)內(nèi)首款高達(dá)1700V的氮化鎵開(kāi)關(guān)IC。新品一出,PI再次成為在氮化鎵領(lǐng)域首家突破額定耐壓水平的電源管理芯片企業(yè)。
PI的功率變換開(kāi)關(guān)持續(xù)迭代
早在2022年,PI就推出了1700V 碳化硅初級(jí)開(kāi)關(guān)的汽車級(jí)高壓開(kāi)關(guān)電源IC,彼時(shí),該產(chǎn)品以高輸入電壓,高輸出精度,效率大于90%等優(yōu)勢(shì)成為業(yè)界標(biāo)桿性產(chǎn)品。但是碳化硅生長(zhǎng)速度緩慢,且生產(chǎn)過(guò)程復(fù)雜,成本高。而氮化鎵開(kāi)關(guān)IC可以在不犧牲性能的情況下,顯著節(jié)省成本。在市場(chǎng)需求以及技術(shù)迭代的多重需求下,PI正式推出1700V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC。
PI技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan介紹了1700V 氮化鎵InnoMux-2 IC的五大特點(diǎn):一是集成了1700V的PowiGaN?開(kāi)關(guān);二是極高的多路輸出效率,1000VDC輸入情況下實(shí)現(xiàn)高于90%的功率變換效率;三是高精度輸出調(diào)整;四是電路更簡(jiǎn)單,元件數(shù)更少;五是具有完善的保護(hù)。
根據(jù)介紹,PowiGaN技術(shù)是PI 自主開(kāi)發(fā)的氮化鎵技術(shù)。PowiGaN開(kāi)關(guān)替代了 PI 高集成離線反激式開(kāi)關(guān) IC 的傳統(tǒng)硅晶體管,降低了開(kāi)關(guān)損耗,使充電器、適配器和開(kāi)放式電源比硅基替代品更高效、更小巧、更輕便。截至目前,PI已經(jīng)推出了750V、900V、1250V的PowiGaN開(kāi)關(guān),每一代產(chǎn)品都在上一代的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)技術(shù)迭代,例如相對(duì)于1250V的 PowiGaN開(kāi)關(guān),新品更是增加了耐壓裕量和耐用性,適用于更廣泛的應(yīng)用。
單級(jí)架構(gòu)優(yōu)勢(shì)盡顯:效率高達(dá)90%,損耗和熱量降低44%
最受關(guān)注的是,PI此次推出的氮化鎵InnoMux-2 IC支持高達(dá)1700V的耐壓。一般來(lái)說(shuō),當(dāng)母線電壓升高的時(shí)候,開(kāi)關(guān)損耗增大,輸出功率能力就會(huì)下降。此時(shí)怎么把效率做得更高是最大的挑戰(zhàn)。但1700V 氮化鎵InnoMux-2 IC做到了與750V的PowiGaN器件有相同的效率。PI是如何實(shí)現(xiàn)極高的多路輸出效率呢?
Jason Yan舉例,原先750V的PowiGaN器件很難做到比400V更高的母線電壓。為了能夠支持更高的母線電壓,傳統(tǒng)的高壓解決方案是采用StackFET的架構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)的,即利用750V PowiGaN器件串聯(lián)一個(gè)額外的功率MOSFET(參見(jiàn)PI的DER-859參考設(shè)計(jì))來(lái)均分電壓。不過(guò)隨著母線電壓的增加,開(kāi)關(guān)損耗的增大,電源的整體效率會(huì)大幅下降,這種架構(gòu)也會(huì)增加8個(gè)以上的元件數(shù)目,電路也更加復(fù)雜。而且由于使用了兩個(gè)功率開(kāi)關(guān),也無(wú)法采用傳統(tǒng)的有源鉗位技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)操作。
而PI的InnoMux-2單級(jí)架構(gòu)即可實(shí)現(xiàn)的高精度多路輸出,使得整個(gè)系統(tǒng)中沒(méi)有后級(jí)穩(wěn)壓電路,這樣就消除了兩級(jí)變換帶來(lái)的效率下降問(wèn)題。同時(shí),InnoMux-2還采用了PI一項(xiàng)獨(dú)特的創(chuàng)新技術(shù):次級(jí)側(cè)實(shí)現(xiàn)的零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)技術(shù),也就是利用現(xiàn)有的同步整流管實(shí)現(xiàn)的初級(jí)側(cè)功率開(kāi)關(guān)管的零電壓開(kāi)關(guān)。該技術(shù)幾乎消除了功率開(kāi)關(guān)的開(kāi)通損耗且無(wú)需有源鉗位。多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)的加持,讓1700V InnoMux2-EP做到90%的效率,相對(duì)于傳統(tǒng)的Stack FET架構(gòu)82%的效率,可以把損耗和熱量降低了44%。
“這是一個(gè)巨大的節(jié)省,這種節(jié)省不僅體現(xiàn)在效率的變化,還體現(xiàn)在IC的溫升會(huì)急劇下降。當(dāng)IC的溫升下降之后,就意味著可以用相同的封裝尺寸實(shí)現(xiàn)更高的輸出功率。”Jason Yan表示。1700V InnoMux-2-EP效率獲得大幅提高,開(kāi)關(guān)損耗也極小,所需的元件數(shù)目也大大減少。采用新推出的F封裝,可以在不加金屬散熱片的情況下輸出高達(dá)70W的功率。這對(duì)于高母線電壓的多路輸出應(yīng)用是非常難能可貴的。
參考設(shè)計(jì)套件(RDK-1053):1700V的PowiGaN在雙路輸出工業(yè)電源中的應(yīng)用
(電子發(fā)燒友網(wǎng)攝)
除了極高的多路輸出效率,1700V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC能精確控制2組或3組CV輸出,在不同輸入電壓及負(fù)載條件下精度均達(dá)+1%。單級(jí)架構(gòu)還帶來(lái)更多的優(yōu)勢(shì),包括提升響應(yīng)速度,減少了DC-DC轉(zhuǎn)換和假負(fù)載,讓1700V InnoMux-2 IC做到更低的待機(jī)功耗,空載輸入功率小于50mW。
隨著功率升高,散熱設(shè)計(jì)成為一個(gè)挑戰(zhàn)。優(yōu)異的散熱性能也成為1700V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC被業(yè)界稱贊的關(guān)鍵。PI公司營(yíng)銷副總裁Doug Bailey在接受電子發(fā)燒友網(wǎng)采訪時(shí)表示,提高新品的散熱性能有兩個(gè)關(guān)鍵點(diǎn),一方面是IC封裝設(shè)計(jì)的創(chuàng)新。PI推出了F封裝,加大引腳間距和增加爬電間距,F(xiàn)封裝還能夠把熱量導(dǎo)到PCB板進(jìn)行散熱。另一方面是1700V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC采用了最好的氮化鎵技術(shù),減少熱量的產(chǎn)生。
PI公司營(yíng)銷副總裁Doug Bailey(電子發(fā)燒友網(wǎng)攝)
面向高壓多軌電源領(lǐng)域,提供多個(gè)型號(hào)的產(chǎn)品
憑借高耐壓的能力,PI的InnoMux2-EP面向高壓多軌電源應(yīng)用場(chǎng)景。例如對(duì)于太陽(yáng)能、儲(chǔ)能等場(chǎng)景,PI可以提供適用于200-1000VDC母線電壓應(yīng)用的的1700V耐壓能力的產(chǎn)品。而對(duì)于計(jì)算機(jī)CPU、MCU、功能性電源以及電視機(jī)和顯示器等傳統(tǒng)應(yīng)用場(chǎng)景,仍然可以使用面對(duì)308VAC輸入電壓的650/725/750V額定耐壓產(chǎn)品。
在高壓領(lǐng)域,一直是碳化硅器件占據(jù)主導(dǎo)地位,此次PI首款1700V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC的發(fā)布填補(bǔ)了氮化鎵在高壓領(lǐng)域的空白,打造了行業(yè)的又一個(gè)里程碑。市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole預(yù)測(cè),到2029年底,功率氮化鎵器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到20億美元,并將擴(kuò)展到各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,與碳化硅器件相比,功率氮化鎵器件成本優(yōu)勢(shì)更具吸引力。Doug Bailey在接受媒體采訪時(shí)表示,未來(lái)PI還會(huì)持續(xù)推進(jìn)氮化鎵技術(shù),將氮化鎵開(kāi)關(guān)IC應(yīng)用到更多領(lǐng)域。
除了帶來(lái)具備技術(shù)優(yōu)勢(shì)的1700V的氮化鎵開(kāi)關(guān)IC產(chǎn)品,在給方案公司和客戶的支持和配合方面,PI可以提供什么樣的支持與服務(wù)?Doug Bailey提到三個(gè)方面,一是PI提供了軟件設(shè)計(jì)支持,推出了PI Expert?設(shè)計(jì)支持工具,支持平面變壓器,每一個(gè)變壓器設(shè)計(jì)能夠根據(jù)客戶具體使用需求實(shí)現(xiàn)定制化。二是PI提供了DEMO板,方便客戶在研發(fā)階段做測(cè)試生產(chǎn)。三是PI有著強(qiáng)大的技術(shù)支持團(tuán)隊(duì),能夠給客戶提供技術(shù)支持。
通過(guò)上面PI這次發(fā)布的1700V的新品,我們有理由相信氮化鎵會(huì)具有更廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用,也期待在不久的將來(lái)PI 能夠帶給業(yè)界更大的“驚喜”。
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