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PRISEMI芯導科技推出新品–全面應對手機EOS問題

h1654155954.3333 ? 來源:h1654155954.3333 ? 作者:h1654155954.3333 ? 2025-02-05 15:53 ? 次閱讀

PRISEMI芯導科技推出新品–全面應對手機EOS問題

Prisemi 重磅新品:PESDHC5D7VU、PESDHC5D3V3U
全面應對手機EOS 問題

針對目前智能機、功能機在客戶端經常出現以下問題:

a. 使用時無法充電(V_charge 端開路或者短路);
b. 無法開機(V_bat 短路或者V_bat 端漏電流很大);
c. 待機時間短、漏電流偏大;
d. Wifi 無法檢測信號或敏感度降低。

Prisemi 從過電性應力(EOS)的角度發,結合電磁兼容EMC綜合的性能要求,考慮用戶終端對手機的干擾因素,分別從浪涌(Surge-IEC61000-4-5) 、 群 脈沖(EFT-IEC61000-4-2) 、 靜電 (ESD- IEC61000-4-2)三方面進行測試與評估,針對某大型客戶機型在客戶端反饋較差的機型,反復從抗干擾能力和改善系統設計的 角度, 從之前的單機浪涌測試DC 側 V_Charge 不過 60V,一度將單機 浪涌 測試 DC 側 V_Charge 提高到 150V, 并最終 通過所有測試, 一舉超出目前手機類測試要求。目前基本的原理圖設計如下:

在此期間,針對手機的系統設計要求,要求抗外界干擾能力的TVS器件:

? 貼片小封裝;
?高浪涌承受能力,即瞬態通流量大,功率大;

TVS的功率大小和芯片的面積成正比例關系,如要求瞬態通流量大,同功率情況下,只能減小TVS的截止電壓,很顯然上述是相互制約的。
目前可以支持的 SMD 封裝有:DFN1006; SOD923; SOD523; SOD323。很顯然SOD323封裝較大,而且由于它的高度無法滿足MinUSB其他機械設計,所以只能鎖定在SOD523封裝的設計要求內。要想全面解決整機系統方案,單獨一顆SOD523封裝的TVS在全功率的情況下,也極難滿足系統150V的浪涌測試要求,只有在升級方案和升級工藝兩種條件具備的情況下方可,Prisemi 在尋求工藝改進的情況下,同時尋求新的設計方案,在可控的成本設計要求內,最終大獲全勝。

Prismei在V_charge 端開發:PESDHC5D7VU, 其特點如下:
??強大的Surge能力:
浪涌IEC61000-4-5,24A(8/20μs)
峰值脈沖功率,400W (8/20μs)
?EFT 保護能力:IEC61000-4-4,±4kV
? ESD 保護能力:IEC61000-4-2,±30kV(接觸),±30kV(空氣)
Prismei在V_bat 端開發:PESDHC5D3V3U, 其特點如下:
??強大的Surge能力:
浪涌IEC61000-4-5,23A(8/20μs)
峰值脈沖功率,250W (8/20μs)
?EFT 保護能力:IEC61000-4-4,±4kV
? ESD 保護能力:IEC61000-4-2,±30kV(接觸),±30kV(空氣)
上述兩器件均以極低的動態導通電阻,優秀的抑制電壓,滿足了系統的綜合設計要求,目前主要針對的系統平臺有:

wKgZPGeYVueAfGp7AACJe6SIiLE868.png

方案設計與整改,電話075582542001,82574660謝謝惠顧!


審核編輯 黃宇

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