氮化鎵電源芯片U8733集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)恒功率功能。外置溫度檢測環(huán)境溫度，當(dāng)溫度過高主動(dòng)降功率以降低系統(tǒng)溫度，保證系統(tǒng)穩(wěn)定可靠工作。U8733的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。推薦工作頻率130KHz/220KHz！

U8733

氮化鎵電源芯片U8733主要特性：

&集成 700V E-GaN

&集成高壓啟動(dòng)功能

&超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 <30mW

&谷 底 鎖 定 模 式 ， 最 高 工 作 頻 率 兩 檔 可 調(diào)(220kHz，130kHz)

&集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)

&驅(qū)動(dòng)電流分檔配置

&集成恒功率功能

&外置 OTP 及主動(dòng)降功率功能

&集成完備的保護(hù)功能：

VDD 過壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)

輸出過壓/欠壓保護(hù) (OVP/UVP)

輸入欠壓保護(hù) (BOP)

片內(nèi)過熱保護(hù) (OTP)

外置過熱保護(hù)

逐周期電流限制 (OCP)

異常過流保護(hù) (AOCP)

短路保護(hù) (SCP)

前沿消隱 (LEB)

CS 管腳開路保護(hù)

&封裝類型 ESOP-7

U8733

氮化鎵電源芯片U8733集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值 6.4V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此U8733通過DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。U8733系列還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在驅(qū)動(dòng)電流配置為第一、第二、第三檔位時(shí)，當(dāng)芯片工作于輕載模式時(shí)，將原邊開通速度減半，減小空載時(shí)SR的Vds應(yīng)力過沖。