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充電器芯片U2281TMB的主要特性

開關電源芯片 ? 來源:開關電源芯片 ? 2025-02-14 16:07 ? 次閱讀

年后開工開學,新一波的手機充電器需求也逐漸興起。特別是在國補政策優惠力度極大的當下,消費者的購買熱情更甚年前。今天我們就基于小伙伴充電器項目的常規需求,給大家推薦一款市場口碑不錯且極具性價比的充電器芯片——U2281TMB。

充電器芯片U2281TMB啟動電流很低,小于10uA。因此,開關電源的啟動電路可以使用大電阻,這將盡量減少待機損耗。啟動電阻的典型電阻為4M歐姆。U2281TMB開關頻率內部固定在65 kHz,在PCB設計中不需要外部頻率設置組件。

充電器芯片U2281TMB主要特性:

1.數字洗頻技術,以提高EMI性能。

2.固定的65 kHz PWM開關頻率。

3.內置前沿消隱

4.內置同步斜率補償,逐周期電流限制

5.低備用功耗(<75mW@AC 230V)

6.內置軟啟動,管腳浮空保護

7.集成自恢復模式的保護功能:

VDD欠壓保護(UVLO)

VDD過壓保護 (OVP)

過熱保護(OTP)

逐周期電流限制

過載保護(OLP)

短路保護(SCP)

前沿消隱(LEB)

CS管腳開路保護

8.低啟動電流(<10uA@VDD=12V)

充電器芯片U2281TMB封裝形式SOT23-6,可做OB2263的替代,管腳如下:

1腳是VDD IC電源引腳。

2腳是 GND IC的接地。

3腳是FB反饋引腳。通過將光電耦合器連接到該引腳來實現環路調節。PWM占空比由該引腳電壓和引腳4上的電流檢測信號決定。

4 CS電流檢測輸入引腳。

5、6、7、8 腳是Darin功率MOSFET漏極。

充電器芯片U2281TMB GATE引腳具有300mA的吸收電流和150mA的源電流能力,MOSFET將緩慢導通并快速關斷,從而使U2281TMB具有高效率和低輻射EMI。驅動電壓的最高電壓被箝位在12V。通過在電流檢測輸入電壓上增加電壓斜坡來集成斜率補償電路,從而產生PWM。這大大提高了CCM的閉環穩定性,防止了次諧波振蕩,從而降低了輸出紋波電壓。

深圳銀聯寶科技推出的充電器芯片方案,可以輕松滿足六級節能標準和EMC的要求,具有全面的保護功能,保證了系統的可靠性,不管是價格還是品質都稱得上是“真香系列”。具體信息可直接搜索深圳銀聯寶科技,專人解答您的各種難題!

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原文標題:極具性價比的充電器芯片推薦——U2281TMB

文章出處:【微信號:gh_3980db2283cd,微信公眾號:開關電源芯片】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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