快恢復二極管(Fast Recovery Diode,FRD)是一種具有快速反向恢復特性的半導體器件,廣泛應用于高頻開關電源、逆變器、電機驅動和其他需要快速開關的電路中。
本指南旨在幫助工程師了解FRD的特性、選型方法及其在實際應用中的注意事項。
FRD的基本特性
01 反向恢復時間(trr)
定義: 從正向導通切換到反向阻斷時,存儲的少數載流子被清除所需的時間。
重要性: trr 越短,FRD的開關速度越快,適用于高頻應用。
02 反向恢復峰值電流(Irr)
定義: 反向恢復過程中反向電流的最大值。
重要性: Irr越大,反向恢復損耗越高,需根據電路需求選擇合適的FRD。
03 反向恢復電荷(Qrr)
定義: 反向恢復過程中流動的總電荷量。
重要性: Qrr 是計算反向恢復損耗的重要參數,影響電路的效率和熱設計。
04 正向壓降(VF)
定義: FRD在正向導通時的電壓降。
重要性: VF越小,導通損耗越低,適用于高效率電路。
FRD的選型方法
01確定工作電壓:選擇FRD時,其最大反向電壓(VR)應高于電路中的最大反向電壓,通常留有20%-30%的裕量。
02 確定工作電流:FRD的額定正向電流(IF)應高于電路中的最大正向電流,通常留有20%-30%的裕量。
03 選擇反向恢復時間:根據電路的開關頻率選擇適當的trr,高頻應用應選擇trr較短的FRD。
04 考慮熱設計:根據FRD的功耗, 熱阻以及工作溫度計算結溫,確保其在安全工作溫度范圍內。
實際應用
01損耗計算
FRD應用中,除開正向導通損耗,反向恢復損耗也非常重要。二極管整體損耗主要由這兩者共同決定。在應用中需要根據實際情況,來評估FRD的Trr選擇是否合適。
理想反向恢復波形中,反向恢復產生的損耗
Psw-off≈Vrp*Irrm*Trr*fsw/2
在實際反向恢復中,Vrp接近于Vr,反向恢復產生的損耗
Psw-off≈Vr*Irrm*Trr*fsw/2
不管何種波形,針對高頻應用,需要評估器件整體功耗是否超標,是否有熱失控風險。
器件整體功耗:
PD=Pon+Poff+Psw-on+Psw-off
(其中Poff因為漏電流小,Psw-on因為時間短,正向壓降小,兩者的功耗幾乎可以忽略,Psw-off需要計算高溫下的數值,溫度越高Trr越大,Psw-off也會越大)
根據熱阻計算對應溫升:DT=PD*Rthjc
根據器件實際工作溫度,計算器件結溫:Tj=Tc+DT
確保器件結溫Tj不超過Tjmax,并有一定余量。
如下兩顆FRD具有相同的電流電壓規格,Trr差異較小,但是反向恢復損耗卻相差較大,在高溫條件下,差距會進一步放大, 由此帶來的功耗差異也不能忽略。
按照5A/200V,頻率65KHz應用計算反向恢復損耗: 樣品A的反向恢復損耗:Psw-off=0.77W 樣品B的反向恢復損耗:Psw-off=0.12W
02軟恢復和硬恢復
恢復電流恢復太突然時,它會產生更多的噪音. 因此,trr不僅要小,而且需要較緩的恢復。下面數字1和3在規格中可能看起來具有相同的trr,但損耗和噪音都大不相同。此外,2號在查看規格時看起來非常好,但它會產生很大的噪音。
蘇 州 固 锝
成立于1990年的蘇州固锝,是一家技術領先的中國功率半導體器件制造商,擁有完整的“晶圓-封測”IDM供應鏈體系,于2006年深交所上市(002079)。最新財年2023年銷售額達40.87億人民幣,較2022年增長了25.1%。
作為國內最大的整流二極管廠家之一,蘇州固锝不斷完善功率產品系列(Diodes、MOSFET、SiC、IGBT等)、開發獨特的IC封裝技術以及對品質的長期堅守,贏得了廣大客戶的信賴;依靠其位于中國長三角和馬來西亞居林Kulim的5家生產基地,為全球客戶提供優質的產品服務。
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原文標題:指南 || 快恢復二極管(FRD)應用指南
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