鐵電存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器，具有高速寫入、高重寫耐久性和低功耗的特點(diǎn)。利用這些特點(diǎn)，鐵電存儲(chǔ)器被廣泛應(yīng)用于需要高頻率記錄設(shè)備本身及其周圍環(huán)境狀態(tài)的工業(yè)和車載應(yīng)用中。

國芯思辰提供的用于旋轉(zhuǎn)編碼器的舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器，在用于計(jì)算電機(jī)轉(zhuǎn)速的旋轉(zhuǎn)編碼器時(shí)，不會(huì)影響鐵電存儲(chǔ)器本身的快速啟動(dòng)、高速寫入和低功耗。存儲(chǔ)在鐵電存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)的計(jì)算和寫入是通過線圈的電動(dòng)勢(shì)等產(chǎn)生的少量電能完成的，即使沒有電源，也能繼續(xù)計(jì)算電機(jī)的轉(zhuǎn)數(shù)。

1、快速啟動(dòng)：與閃存和其他存儲(chǔ)器解決方案不同，鐵電存儲(chǔ)器不需要升壓電源或復(fù)雜的內(nèi)部電源排序。這意味著不需要等待電源穩(wěn)定，并且可以在電源打開后立即訪問存儲(chǔ)器。

2、高速寫入和高重寫耐久性：與EEPROM不同，舜銘鐵電存儲(chǔ)器不需要寫操作的等待時(shí)間，并且能夠進(jìn)行大量重寫。

3、低功耗：舜銘鐵電存儲(chǔ)器在寫入數(shù)據(jù)時(shí)不需要升壓電源，并且由于寫入時(shí)間短，它所需的功率遠(yuǎn)低于其他類型的非易失性存儲(chǔ)器。這使得它能夠在能量收集等弱電源上運(yùn)行，并且即使在電池供電系統(tǒng)中也能長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行。

4、抗磁場(chǎng)：MRAM是一種能夠進(jìn)行高速寫操作的非易失性存儲(chǔ)器。然而它對(duì)磁場(chǎng)非常敏感，因此需要使用防磁屏蔽來保護(hù)它。由于鐵電存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，它對(duì)磁場(chǎng)和電場(chǎng)具有很高的抗性，并且對(duì)軟件錯(cuò)誤也有抵抗力，因此鐵電存儲(chǔ)器也被用于太空應(yīng)用。

5、不需要電磁：由于鐵電存儲(chǔ)器是非易失性存儲(chǔ)器，它不需要電池來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，因此非常適合替代具有類似規(guī)格并以類似方式使用的電池備份SRAM。

舜銘存儲(chǔ)器SF24C512是鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)來形成非易失性存儲(chǔ)單元，可以支持100萬次讀/寫操作，高速讀寫可確保實(shí)時(shí)存儲(chǔ)，可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)者解決實(shí)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)者解決了突然斷電數(shù)據(jù)丟失的問題。另外SF24C512的數(shù)據(jù)保持為10年@85℃ (200年@25℃)，高耐久性的特點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)頻繁記錄操作歷史和系統(tǒng)狀態(tài)。

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