此參考設計展示了采用三個具有集成式 GaN FET、驅動器和自舉二極管的 100V、35A GaN 半橋 LMG2100R044 的高功率密度 12V 至 60V 三相功率級，專門用于電機集成式伺服驅動器和機器人應用。
通過使用 IN241A 電流檢測放大器，實現了精確的相電流檢測；同時測量了直流鏈路電壓和相電壓，從而能夠驗證諸如 InstaSPIN-FOC? 等先進的無傳感器設計。該設計提供與 TI BoosterPack 兼容的 3.3V I/O 接口，用于連接 C2000? MCU LaunchPad? 開發套件或 Sitara? 微控制器，以便快速輕松地評估我們的 GaN 技術。
*附件：適用于電機集成式驅動器的 48V、850W 小型三相 GaN 逆變器.pdf

特性

• 在 40kHz PWM 下可實現高效率（峰值為 99.3%），支持在環境溫度為 25°C、連續電流高達 16Arms 且無需安裝散熱器的情況下穩定運行
• 小型 GaN 半橋功率級可實現高功率密度并簡化 PCB 布局
• GaN 半橋支持在更高的 PWM 頻率下運行，有助于降低直流總線電容器高度，同時使用陶瓷電容器替代電解電容器
• 零反向恢復損耗可減少開關節點振蕩
• 16.6ns 的低死區時間更大限度地減少相電壓失真 使用 1mΩ 分流器和具有高 PWM 抑制功能的電流檢測放大器，對 ±33A 范圍內的相電流進行精密檢測
  

應用
? 機器人伺服驅動器
? 伺服驅動器功率級模塊
? 線性電機功率級
? 移動機器人電機控制
? 無人機配件