LMG3100 器件是一款具有集成驅動器的 100V 連續 120V 脈沖氮化鎵 （GaN） FET。該器件提供兩種 Rds（on） 和最大電流版本，LMG3100R017 為 126A/1.7mΩ，LMG3100R044為 46A/4.4mΩ。該器件由一個由高頻 GaN FET 驅動器驅動的 100V GaN FET 組成。LMG3100 包含一個高側電平轉換器和自舉電路，因此可以使用兩個 LMG3100 器件來形成一個半橋，而無需額外的電平轉換器。

GaN FET 具有零反向恢復和非常小的輸入電容 CISS 和輸出電容 COSS，因此為功率轉換提供了顯著的優勢。驅動器和 GaN FET 安裝在完全無鍵合線的封裝平臺上，封裝寄生元件最少。LMG3100器件采用 6.5mm × 4mm × 0.89mm 無鉛封裝，可輕松安裝在 PCB 上。
*附件：LMG3100R017 （126A）、LMG3100R044 （46A） 100V GaN FET，帶集成驅動器數據表.pdf

TTL 邏輯兼容輸入可以支持 3.3V 和 5V 邏輯電平，而與 VCC 電壓無關。專有的自舉電壓箝位技術確保增強型 GaN FET 的柵極電壓在安全工作范圍內。

該器件通過提供更用戶友好的界面，擴展了分立式 GaN FET 的優勢。對于需要高頻、高效率運行、小尺寸的應用，它是理想的解決方案。

特性：

• 集成 1.7mΩ （LMG3100R017） 或 4.4mΩ （LMG3100R044） GaN FET 和驅動器
• 100V 連續，120V 脈沖額定電壓
• 交互式高端電平轉換和自舉
• 兩個LMG3100可以形成一個半橋
  • 無需外部電平轉換器
• 5V 外部偏置電源
• 支持 3.3V 和 5V 輸入邏輯電平
• 高轉換速率開關，低振鈴
• 柵極驅動器能夠實現高達 10MHz 的開關頻率
• 內部自舉電源電壓箝位，以防止 GaN FET 過驅
• 電源軌欠壓鎖定保護
• 低功耗
• 封裝經過優化，便于 PCB 布局
• 外露頂部 QFN 封裝，用于頂部冷卻
• 底部有大外露墊，用于底部冷卻

參數：

方框圖：

應用
?降壓、升壓和降壓-升壓轉換器
?LLC轉換器
?太陽能逆變器
?電信和服務器電源
?電機驅動
?電動工具
?D類音頻放大器
*附件：GaN 可推動電子設計轉型的 4 種中電壓應用.pdf