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用戶指南#LMG3100 評估模塊 LMG3100EVM-089介紹

科技綠洲 ? 2025-02-21 15:27 ? 次閱讀
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LMG3100 評估模塊 (EVM) 是一款緊湊、易于使用的功率級,帶有外部 PWM 信號。該板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的轉(zhuǎn)換器拓?fù)洹T?EVM 具有兩個LMG3100電源模塊,每個模塊都有一個帶集成驅(qū)動器的 100V 1.7mΩ GaN FET。

LMG3100 器件是一款單通道 100V、1.7mΩ 的增強型氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管,集成了驅(qū)動器。LMG3100 包含一個高側(cè)電平移位器和自舉電路,因此兩個 LMG3100 器件可用于形成一個半橋,而無需額外的電平移位器。文檔中還列出了為電路板供電的材料清單,以及如何將電路板設(shè)置為特定的調(diào)節(jié)電壓。此評估模塊旨在加速 LMG3100 的評估。該電路板并非作為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品設(shè)計,也不打算用于評估 LMG3100 的開關(guān)性能。
*附件:LMG3100EVM-089評估模塊.pdf

此評估模塊可配置為降壓或升壓模式。使用外部散熱器對該模塊進(jìn)行高達(dá) 1.6kW 的測試。需要外部電源電壓(5.5V 至 10V)為 LMG3100 器件和死區(qū)時間生成電路供電。此評估模塊可使用單路或雙路 PWM 信號來控制場效應(yīng)晶體管(FET)。

特性

  • 輸入電壓最高可達(dá) 80V 直流
  • 兩個集成的 100V、1.7mΩ 氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)及驅(qū)動器,采用半橋配置
  • 可通過單路或雙路 PWM 信號進(jìn)行開環(huán)控制
  • 可通過簡單的電阻更改在板上進(jìn)行死區(qū)時間調(diào)整
  • 板載低壓差穩(wěn)壓器(LDO),用于從不穩(wěn)定電源生成 5V VCC 電源,輸入范圍為 5V 至 10V
  • 具備開爾文檢測功能,用于效率測量
  • 可使用沿自舉和 VCC 的串聯(lián)電阻對輸入和輸出電壓進(jìn)行斜率調(diào)整
    image.png

應(yīng)用

  • 降壓、升壓、降壓 - 升壓轉(zhuǎn)換器
  • LLC 轉(zhuǎn)換器
  • 太陽能功率優(yōu)化器、微型逆變器
  • 音頻 D 類功率放大器
  • 工業(yè) 48V 負(fù)載點轉(zhuǎn)換器
  • 電機驅(qū)動
  • 電源工具和服務(wù)器電源
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