Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅動器的氮化鎵 (GaN) FET是1.7mΩ GaN FET和驅動器,帶高側電平轉換器和自舉功能。兩個LGM3100器件可用來組成一個半橋,無需外部電平轉換器。GaN FET和驅動器元件具有內置電源軌欠壓 鎖定 (UVLO) 保護和內部自舉電源電壓箝位功能,可防止過驅動 (>5.4V)。Texas Instruments LMG3100R0x具有低功率和改進的用戶接口。LMG3100R017是高頻、高效應用的理想解決方案,其應用包括降壓-升壓轉換器、LLC轉換器、太陽能逆變器、電信、電機驅動器、電動工具和D類音頻放大器。
數據手冊:*附件:Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅動器的GaN FET數據手冊.pdf
特性
- 集成1.7mΩ ([LMG3100R017]或4.4mΩGaN FET/驅動器
- 額定電壓:100V連續電壓,120V脈沖電壓
- 集成的高側電平轉換和自舉功能
- 兩個LMG3100可組成一個半橋,無需外部電平轉換器
- 5V外部偏置電源
- 支持3.3V和5V輸入邏輯電平
- 高壓擺率開關、低振鈴
- 開關能力高達10MHz的柵極驅動器
- 內部自舉電源電壓鉗位可防止GaN FET過驅
- 電源軌欠壓鎖定保護
- 低功耗
- 封裝經過優化,便于PCB布局
- 裸露頂部QFN封裝,用于頂部冷卻
- 底部大面積裸露焊盤,用于底部冷卻
- 零反向恢復
應用
- 降壓、升壓和降壓-升壓轉換器
- LLC轉換器
- 太陽能逆變器
- 電信和服務器電源
- 電機驅動器
- 電動工具
- D類音頻放大器
規范
- 額定電壓:90V連續電壓
- 額定電壓:100V脈沖電壓
- 5V外部偏置電源
- 輸入邏輯電平:3.3V至5V
- 尺寸:6.5 mmx4 mmx0.89 mm
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