Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET數據手冊
Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設計用于開關模式電源應用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅動器，從而減少了元器件數量并簡化了設計。可編程的導通轉換率提供EMI和振鈴控制。
數據手冊：*附件：Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET數據手冊.pdf
Texas Instruments LMG3614支持突發模式運行和轉換器輕負載效率要求，具有快速啟動時間和低靜態電流。保護特性包括過熱保護和欠壓閉鎖 (UVLO)，通過開漏FLT引腳進行報告。
特性
- 650V 170m? GaN功率FET
- 集成柵極驅動器，具有低傳播延遲和可調節的導通轉換率控制
- 通過FLT引腳報告實現過熱保護
- 輔助靜態電流：55μA
- 最大電源和輸入邏輯引腳電壓：26V
- 8mm × 5.3mm QFN封裝，帶導熱片
應用
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