LMG2100R026 評估模塊是一款緊湊且易于使用的功率級模塊,通過外部 PWM 信號進行控制。該電路板可配置為降壓轉換器、升壓轉換器或其他使用半橋的轉換器拓撲。此器件可用于評估 LMG2100R026 作為硬開關轉換器在效率、開關速度和 dv/dt(斜率)等樣本測量方面的性能。該 EVM 配備一個由 90V 氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)半橋柵極驅動器驅動的 LMG2100R026 半橋功率模塊,該模塊集成了兩個 100V、2.6mΩ 的 GaN FET。如果應用實施了充分的熱管理(監控外殼溫度,并在需要時驗證是否有足夠的氣流),該模塊可提供高達 40A 的電流。熱管理考慮因素包括強制風冷、散熱器和降低工作頻率,以盡量減少模塊中的功率損耗。由于這是一個帶有外部 PWM 信號的開環板,請勿使用它來評估瞬態響應。
*附件:LMG2100EVM-097 LMG2100R026評估模塊.pdf
特性
- 輸入電壓最高可達 90V 直流
- 集成 100V、2.6mΩ 的氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)及驅動器 ——LMG2100R026
- 可通過單路或雙路 PWM 信號進行開環控制
- 單輸入,板載 PWM 信號具有 8ns 死區時間
- 可通過簡單的電阻更改在板上進行死區時間調整
- 板載低壓差穩壓器(LDO),用于從不穩定電源(5.5V 至 10V 之間)生成 5V VCC 電源
- 具備開爾文檢測功能,用于效率測量
- 可使用沿自舉(Cboot)和 VCC 的串聯電阻對輸入和輸出電壓進行斜率調整
應用
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