LMG3410EVM-031具有兩個(gè)LMG3410R150600VGaN功率晶體管，帶有集成驅(qū)動(dòng)器，這些驅(qū)動(dòng)器配置在-個(gè)半橋中，具有所有必需的偏置電路和邏輯/功率電平轉(zhuǎn)換。基本功率級和柵極驅(qū)動(dòng)高頻電流環(huán)路完全封閉在電路板上，以最大限度地減少寄生電感，減少電壓過沖并提高性能。LMG3410EVM-031配置為具有插座式外部連接，可輕松與外部功率級連接，以便在各種應(yīng)用中運(yùn)行LMG3410R150。
*附件：LMG3410R150-031 EVM用戶指南.pdf

LMG3410EVM-031 在半橋中配置了兩個(gè) LMG3410R150 GaN FET，具有鎖存過流保護(hù)功能和所有必要的輔助外圍電路。此 EVM 旨在與大型系統(tǒng)配合使用。

特征

• 輸入電壓最高可達(dá) 600 V
• 用于評估 LMG3410R150 性能的簡單開環(huán)設(shè)計(jì)
• 板載單個(gè) PWM 輸入，用于 PWM 信號，死區(qū)時(shí)間為 50ns
• 鎖存過流保護(hù)功能
• 使用帶有短接地彈簧探頭的示波器探頭進(jìn)行邏輯和功率級測量的便捷探測點(diǎn)

1. 概述

• ?產(chǎn)品?：LMG3410R150-031 EVM（評估模塊）
• ?功能?：包含兩個(gè)LMG3410R150 GaN功率晶體管，配置為半橋，集成了所有必需的偏置電路和邏輯/電源電平轉(zhuǎn)換電路。
• ?目標(biāo)?：用于在各種應(yīng)用中測試LMG3410R150的性能。

2. 安全指南

• ?工作區(qū)域安全?：保持工作區(qū)域整潔有序，使用有效的屏障和警示標(biāo)志。
• ?電氣安全?：在處理前確保EVM已斷電，使用絕緣工具和適當(dāng)?shù)膫€(gè)人防護(hù)裝備。
• ?個(gè)人安全?：穿戴乳膠手套和安全眼鏡，或?qū)VM放置在帶有互鎖的透明塑料盒中。

3. 產(chǎn)品描述

• ?結(jié)構(gòu)?：LMG3410EVM-031作為子卡，可與LMG34XX-BB-EVM母板配合使用。
• ?功能?：
  • ?邏輯引腳?：7個(gè)邏輯引腳，用于控制和監(jiān)測GaN FET。
  • ?電源引腳?：3個(gè)電源引腳，包括VSW（半橋開關(guān)節(jié)點(diǎn)）、VDC（輸入直流電壓）和PGND（功率地）。
  • ?工作模式?：支持自舉模式和隔離電源模式。
    

4. 測試設(shè)置

• ?所需設(shè)備?：直流電壓源、直流偏置源、函數(shù)發(fā)生器、示波器、直流多用表、直流負(fù)載和風(fēng)扇。
• ?推薦測試配置?：將LMG3410EVM-031連接到LMG34XX-BB-EVM母板，按照指南連接電源、負(fù)載和測試儀器。

5. 測試程序

• ?啟動(dòng)和操作?：
  1. 連接所有設(shè)備并上電。
  2. 啟用PWM信號。
  3. 緩慢增加輸入電壓，同時(shí)監(jiān)測VSW以確保不超過絕對最大額定值。
• ?關(guān)機(jī)程序?：先關(guān)閉輸入電源和PWM信號，然后禁用12V偏置電源。

6. 典型特性

• ?波形圖?：提供了在不同輸入電壓、頻率和占空比下的開關(guān)波形圖。
• ?散熱?：推薦使用散熱器和風(fēng)扇來控制LMG3410R150的溫度。

7. 組裝圖和PCB布局

• ?頂層和底層布局?：詳細(xì)展示了EVM的頂層和底層組件布局。
• ?內(nèi)層銅布局?：展示了內(nèi)層銅的布局，有助于理解信號和電源的走線。