碳化硅(SiC)技術正引領一場革新,為從新能源汽車到工業電源管理等多個行業帶來前所未有的效率和性能提升。為了幫助工程師們更好地探索和利用 SiC 技術的潛力,安森美(onsemi)推出了一系列評估板,速來一起探索。
1200V M3S半橋2-pack模塊
此評估板旨在測試安森美采用F1封裝的1200V M3S半橋2-pack模塊。M3S SiC (碳化硅)模塊是快速開關應用的理想之選。該評估板支持雙脈沖開關測量和半橋模塊的開環功率測試,還可以連接到外部控制器以提供PWM輸入并處理故障信號。
1200V 2-PACK、TNPC SiC MOSFET模塊評估板
該評估板專為測試采用F2封裝的1200 V M3S,3電平TNPC模塊而設計。
雙脈沖測試 (DPT) 評估板
該評估板旨在對比采用各種分立封裝的安森美SiC MOSFET和IGBT的性能。
全面的 900-1200V EliteSiC 功率集成模塊(PIM)
EliteSiC功率模塊針對關鍵拓撲設計,能夠為直流快充(DCFC)、儲能系統(ESS)、不間斷電源(UPS)和光伏逆變器等應用提供從25 kW~100 kW的可擴展功率輸出。
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原文標題:安森美新型SiC 模塊評估板實力出圈,電力電子工程師必看!
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