TPS7A11 是一款超小型、低靜態(tài)電流、低壓差穩(wěn)壓器 （LDO）。該器件可提供 500 mA 電流，具有出色的交流性能（負(fù)載和線(xiàn)路瞬態(tài)響應(yīng)）。該器件的輸入范圍為 0.75 V 至 3.3 V，輸出范圍為 0.5 V 至 3.0 V，在負(fù)載、線(xiàn)路和溫度范圍內(nèi)具有 1.5% 的極高精度。這種性能非常適合為現(xiàn)代微控制器 （MCU） 和模擬傳感器的較低內(nèi)核電壓供電。

主電源路徑通過(guò) IN 引腳，可連接到比輸出電壓高 140 mV 的電源。該器件使用額外的 V 支持非常低的輸入電壓偏見(jiàn)用于為 LDO 內(nèi)部電路供電的 rail。IN 和 BIAS 引腳分別消耗 1.6 μA 和 6 μA 的極低靜態(tài)電流。低 IQ超低壓差特性有助于提高解決方案在功耗敏感型應(yīng)用中的效率。例如，IN 引腳的電源電壓可以是高效 DC/DC 降壓穩(wěn)壓器的輸出，而 BIAS 引腳的電源電壓可以是可充電電池。

TPS7A11 配備了一個(gè)有源 Pulldown 電路，可在禁用時(shí)快速對(duì)輸出放電，并提供已知的啟動(dòng)狀態(tài)。

*附件：TPS7A11 500mA、低 VIN、低 VOUT、超低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf

該TPS7A11采用小型 2.00mm × 2.00mm WSON、6 引腳 （DRV） 封裝和超小型 0.74mm × 1.09mm、5 引腳 DSBGA （YKA） 封裝，使該器件適用于空間受限的應(yīng)用。

特性

• 超低輸入電壓范圍：0.75 V 至 3.3 V
• 超低壓差，功率損耗最小：
  • 500mA DRV 封裝時(shí)為 140mV（最大值）
  • 500mA YKA 封裝時(shí)為 110mV（最大值）
• 低靜態(tài)電流：
  • V在我 Q = 1.6 μA（典型值）
  • V偏見(jiàn)我 Q = 6 μA（典型值）
• 在負(fù)載、線(xiàn)路和溫度范圍內(nèi)精度為 1.5%
• 高 PSRR：1 kHz 時(shí)為 64 dB
• 提供固定輸出電壓：
  • 0.5 V 至 3.0 V（以 50 mV 為步長(zhǎng)）
• V偏見(jiàn)范圍：1.7 V 至 5.5 V
• 包：
  • 2.0 毫米 × 2.0 毫米 WSON （6）
  • 0.74 mm × 1.09 mm DSBGA （5）
• 有源輸出放電

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

TPS7A11是一款超低輸入電壓、超低輸出電壓、超低壓差（LDO）穩(wěn)壓器，提供高達(dá)500mA的輸出電流。它專(zhuān)為電池供電的便攜式設(shè)備設(shè)計(jì)，具有極低的靜態(tài)電流和出色的瞬態(tài)響應(yīng)性能。

2. 主要特性

• ?超低輸入電壓范圍?：0.75V至3.3V。
• ?超低輸出電壓范圍?：0.5V至3.0V。
• ?超低壓差?：最大140mV（DRV封裝），最大110mV（YKA封裝）。
• ?低靜態(tài)電流?：VIN端靜態(tài)電流典型值為1.6μA，BIAS端靜態(tài)電流典型值為6μA。
• ?高精度?：輸出電壓精度高達(dá)1.5%。
• ?快速瞬態(tài)響應(yīng)?：支持快速變化的負(fù)載和輸入電壓。
• ?小尺寸封裝?：提供2mm×2mm WSON（DRV）和0.74mm×1.09mm DSBGA（YKA）封裝。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

• ?便攜式設(shè)備?：如智能手表、無(wú)線(xiàn)耳機(jī)、相機(jī)模塊、智能手機(jī)和平板電腦、便攜式醫(yī)療設(shè)備、固態(tài)硬盤(pán)（SSD）等。

4. 電氣特性

• ?輸出電壓準(zhǔn)確性?：在-40°C至125°C的溫度范圍內(nèi)，輸出電壓準(zhǔn)確性為±1.5%。
• ?負(fù)載調(diào)節(jié)?：0.2%/A（在1mA至500mA輸出電流范圍內(nèi)）。
• ?線(xiàn)性調(diào)節(jié)?：輸入電壓變化0.1V時(shí)，輸出電壓變化小于0.001%/V。
• ? 電源抑制比（PSRR） ?：在1kHz時(shí)，VIN PSRR為64dB，BIAS PSRR為56dB。

5. 功能描述

• ?使能引腳?：高電平使能，低電平禁用。
• ?BIAS引腳?：允許使用超低輸入電壓，提高低輸出電壓應(yīng)用的效率。
• ?主動(dòng)放電?：禁用時(shí)，通過(guò)內(nèi)部MOSFET和120Ω電阻快速放電輸出電容。
• ?過(guò)流保護(hù)?：內(nèi)置折返電流限制，防止過(guò)載或短路損壞。
• ?熱關(guān)斷?：過(guò)熱時(shí)自動(dòng)關(guān)斷輸出，保護(hù)器件免受損壞。

6. 封裝與尺寸

• ?DRV封裝?：2mm×2mm WSON，6引腳。
• ?YKA封裝?：0.74mm×1.09mm DSBGA，5引腳。

7. 典型應(yīng)用電路與布局指南

• ?典型應(yīng)用電路?：數(shù)據(jù)表中提供了詳細(xì)的典型應(yīng)用電路圖，包括輸入電容、輸出電容、BIAS電容和使能引腳的連接方式。
• ?布局指南?：建議將輸入、輸出和BIAS電容盡可能靠近器件放置，以減小寄生電感，提高穩(wěn)定性。同時(shí)，使用銅平面進(jìn)行熱管理，并在器件下方放置熱過(guò)孔以?xún)?yōu)化散熱。

8. 文檔與支持資源

• ?數(shù)據(jù)表?：提供了詳細(xì)的技術(shù)規(guī)格、電氣特性和應(yīng)用信息。
• ?評(píng)估模塊?：TPS720xxDRVEVM評(píng)估模塊可用于初步電路性能評(píng)估。
• ?Spice模型?：可通過(guò)TI產(chǎn)品文件夾獲取，用于電路仿真。