概述

ADRF5301 是一款利用硅工藝制造的反射式單刀四擲 (SPDT) 開關。

ADRF5301 專為 37 GHz 至 49 GHz 的 5G 應用而開發。該器件具有 1.4 dB 的低插入損耗、30 dB 的高隔離以及 28 dBm 平均值和 36 dBm 峰值射頻 (RF) 輸入功率處理能力。

ADRF5301 包含一個負電壓發生器 (NVG)，由施加到 VDD 引腳的 3.3 V 單一正電源供電。該器件采用兼容互補金屬氧化物半導體 (CMOS)/低電壓晶體管至晶體管邏輯 (LVTTL) 的控制。

ADRF5301 采用符合 RoHS 標準的 20 端子 3 mm × 3 mm 岸面柵格陣列封裝，并可在 ?40°C 至 +105°C 的溫度范圍內工作。
數據表：*附件：ADRF5301 SPDT 37 GHz至49 GHz硅開關技術手冊.pdf

應用

• 工業掃描儀
• 測試儀器儀表
• 蜂窩基礎設施毫米波 5G
• 軍用無線電、雷達和電子對抗 (ECM)
• 微波射頻和甚小孔徑終端 (VSAT)
  特性
• 反射式設計
• 低插入損耗：1.4 dB（典型值）
• 高隔離：30 dB（典型值）
• 高輸入線性度：
  • P0.1dB：36 dBm
  • 輸入 IP3：52 dBm
• 高 RF 功率處理能力
  • 平均值為 28 dBm
  • 峰值為 36 dBm
• 單電源供電：3.3V
• 內部 NVG
• RF 建立時間（0.1 dB 最終 RF 輸出）：50 ns
• 20 端子 3 mm × 3 mm 岸面柵格陣列 (LGA) 封裝

框圖

引腳配置

接口示意圖

ADRF5301有一個電源引腳(VDD)和一個控制引腳(CTRL)。圖14顯示了電源引腳的外部元件和連接。VDD引腳通過一個100pF多層陶瓷電容去耦。器件引腳排列允許去耦電容靠近器件放置。偏置和工作不需要其它外部元件，但當RF線路偏置電壓不為0v時，RF引腳上的DC隔直電容除外。詳情參見“引腳配置和功能描述”部分。

RF端口內部匹配50歐姆，引腳排列設計用于匹配PCB上具有50ω特性阻抗的共面波導(CPWG)。圖15所示為參考的CPWG RF走線設計，RF基板采用8密耳厚的Rogers R04003電介質材料。對于2.2密耳的成品銅厚度，建議使用14密耳寬、7密耳間隙的RF走線。