概述
ADRF5025是一款反射式、單刀雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān)，采用硅工藝制造。

該開(kāi)關(guān)的工作頻率范圍為9 kHz至44 GHz，提供優(yōu)于1.6 dB的插入損耗和35 dB隔離性能。ADRF5025的通過(guò)路徑和熱切換均具有27 dBm的射頻(RF)輸入功率處理能力。

ADRF5025在+3.3 V正電源電壓和-3.3 V負(fù)電源電壓下分別消耗14 μA和120 μA的低電流。該器件采用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)/低壓晶體管對(duì)晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制特性。

ADRF5025與[ADRF5024]（低頻截止版本）引腳兼容，工作頻率范圍為100 MHz至44 GHz。

ADRF5025 RF端口設(shè)計(jì)用于匹配50 Ω的特征阻抗。對(duì)于超寬帶產(chǎn)品，RF傳輸線路上的阻抗匹配可以進(jìn)一步優(yōu)化高頻插入損耗和回波損耗特性。有關(guān)更多詳情，請(qǐng)參考“電氣規(guī)格”部分、“典型性能參數(shù)”部分和“應(yīng)用信息”部分。

ADRF5025采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的2.25 mm × 2.25 mm、12引腳、基板柵格陣列(LGA)封裝，工作溫度范圍為?40°C至+105°C。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADRF5025 9kHz至44GHz硅SPDT反射式開(kāi)關(guān)技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 工業(yè)掃描儀
• 測(cè)試和儀器儀表
• 蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施：5G毫米波
• 軍用無(wú)線電、雷達(dá)、電子對(duì)抗(ECM)
• 微波無(wú)線電和甚小孔徑終端(VSAT)

特性

• 超寬帶頻率范圍：9 kHz至44 GHz
• 反射式設(shè)計(jì)
• 具有阻抗匹配的低插入損耗
  • 0.9 dB（典型值）至18 GHz
  • 1.4 dB（典型值）至40 GHz
  • 1.6 dB（典型值）至44 GHz
• 不具有阻抗匹配的低插入損耗
  • 0.9 dB（典型值）至18 GHz
  • 1.7 dB（典型值）至40 GHz
  • 2.2 dB（典型值）至44 GHz
• 高輸入線性度
  • P1dB：27.5 dBm（典型值）
  • IP3：50 dBm（典型值）
• 高RF輸入功率處理
  • 通過(guò)路徑：27 dBm
  • 熱切換：27 dBm
• 無(wú)低頻雜散
• RF建立時(shí)間 (50% VCTL至 0.1 dB 的最終RF輸出): 3.4 μs
• 12引腳、2.25 mm × 2.25 mm LGA封裝
• 與[ADRF5024]快速切換版本引腳兼容

框圖

引腳配置

接口示意圖

ADRF5025-EVALZ是一款4層評(píng)估板。外層銅(Cu)層的厚度為0.5盎司(0.7密耳)至1.5盎司(2.2密耳)，并由介電材料隔開(kāi)。圖17顯示了評(píng)估板疊層。

所有RF和dc走線都布設(shè)在頂層銅層上，內(nèi)層和底層是接地層，為RF傳輸線路提供堅(jiān)實(shí)的接地。頂部介電材料為8密耳Rogers RO4003，提供最佳高頻性能。中間和底部介電材料提供機(jī)械強(qiáng)度。整個(gè)電路板的厚度為62密耳，允許在電路板邊緣連接2.4毫米射頻發(fā)射器。