概述
ADRF5250是一款通用型單刀五擲(SP5T)、非反射式開關，采用硅工藝制造。ADRF5250采用4 mm × 4 mm、24引腳引線框芯片級封裝(LFCSP)，在100 MHz至6 GHz頻率范圍內提供高隔離度和低插入損耗。

ADRF5250集成負電壓發生器，當VSS引腳接地時，可采用施加于VDD引腳的3.3 V至5 V單正電源供電。當?3.3 V外部負電源電壓施加于VSS引腳時，可禁用負電壓發生器。ADRF5250提供1.8 V邏輯兼容、3引腳控制接口。
數據表：*附件：ADRF5250 0.1GHz至6GHz硅SP5T開關技術手冊.pdf

應用

• 蜂窩/4G 基礎設施
• 無線基礎設施
• 移動無線電
• 測試設備
  特性
• 非反射式50 Ω設計
• 低插入損耗：1.5 dB（4 GHz時）
• 高隔離度：50 dB（4 GHz時）
• 高輸入線性度
  • 0.1 dB壓縮(P0.1dB)：34 dBm（典型值）
  • 三階交調截點(IP3)：57 dBm（典型值）
• 85°C時高功率處理能力
  • 33 dBm（通過路徑）
  • 27 dBm（端接路徑）
• ESD額定值
  • 3.5 kV HBM，2級
• 單電源或雙電源供電
  • 可選內部負電壓發生器(NVG)
• 1.8 V邏輯兼容控制
• 4 mm × 4 mm、24引腳LFCSP封裝

框圖

引腳配置

接口示意圖

典型性能特征

圖18和圖19顯示了評估板的俯視圖和橫截面圖，該評估板采用4層結構，銅層厚度為0.5盎司(0.7密耳)，各銅層之間采用電介質材料。

所有射頻走線都在第2層布線；V1、V3和VSS dctraces在第3層上路由；V2和VDD直流走線在頂層布線；其余層為接地層，為RF傳輸線提供堅實的接地。頂部和底部介電材料是羅杰斯4350B，提供低損耗性能。中間的電介質材料是4450F，用于實現30密耳的總板厚。射頻傳輸線路采用共面波導(CPWG)模型，寬度為8密耳，接地間距為10密耳，特性阻抗為50歐姆。為了實現最佳RF和熱接地，盡可能多的鍍通孔布置在傳輸線路周圍和封裝裸露焊盤下方。
圖20顯示了實際ADRF5250評估板的元件布局。兩個電源端口連接到VDD和VSS測試點TP3和TP5，接地參考連接到GND測試點TP6。在數字控制和VDD電源走線上，使用旁路電容。