概述

HMC1118是一款通用、寬帶、非反射式單刀雙擲(SPDT)開關，采用LFCSP表貼封裝。該開關頻率范圍為9 kHz至13.0 GHz，具有高隔離度和低插入損耗。該開關具有48 dB以上的隔離性能，8.0 GHz及以下頻率時的插入損耗為0.68 dB，最終RFOUT的0.05 dB裕量的建立時間為7.5 μs。該開關采用+3.3 V和0 V的正控制電壓邏輯線路工作，需要+3.3 V和?2.5 V電源供電。僅施加一個正電源電壓而負電源電壓(VSS)接地時，HMC1118的工作頻率范圍不變，并且仍能保持良好的功率處理性能。該器件采用3 mm × 3 mm表貼LFCSP封裝。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC1118高隔離SPDT非反射開關、9 kHz-13 GHz技術手冊.pdf

應用

• 測試儀器儀表
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
• 軍用無線電、雷達和電子對抗(ECM)
• 光纖和寬帶電信
  特性
• 非反射50Ω設計
• 正控制電壓： 0/+3.3V
• 低插入損耗： 0.68 dB (8.0 GHz時)
• 高隔離度： 48 dB (8.0 GHz時)
• 高功率處理：
  • 35 dBm（通過路徑）
  • 27 dBm（端接路徑）
• 高線性度：
  • 1 dB壓縮(P1dB)：37 dBm（典型值）
  • 輸出三階交調截點(IIP3)：62 dBm（典型值）
• ESD額定值： 2kV 人體模型(HBM)
• 3 x 3 mm 16引腳LFCSP封裝
• 無低頻雜散
• 建立時間（最終RFOUT的0.05 dB裕量）：7.5 μs

框圖

引腳配置

接口示意圖

典型性能特征

利用適當?shù)腞F電路設計技術，生成本應用中使用的評估PCB。RF端口的信號線必須具有50歐姆阻抗，封裝接地引腳和背面接地片必須直接連接到接地層，如圖19所示。ADI公司可索取圖19所示的評估板。