概述

HMC344ALP3E是一款寬帶、非反射式、單刀四擲(SP4T)開關，采用砷化鎵(GaAs)金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝制造。該開關具有高隔離、低插入損耗和片內端接隔離端口。

該開關采用?5 V至?3 V負電源電壓(VEE)工作，需要兩個負邏輯控制電壓。

HMC344ALP3E內置片內二進制2:4線路解碼器，通過兩條邏輯輸入線路提供邏輯控制。

HMC344ALP3E采用3 mm × 3 mm、16引腳LFCSP封裝，工作頻率范圍為0.1 GHz至8 GHz。

數據表：*附件：HMC344A 0.1GHz至8 GHz、GaAs、非反射式SP4T開關技術手冊.pdf
應用

• 寬帶電信系統
• 光纖產品
• 開關濾波器組
• 低于8 GHz的無線基礎設施

特性

• 寬帶頻率范圍：0.1 GHz至8 GHz
• 非反射式50 Ω設計
• 低插入損耗：1.7 dB（6 GHz時)
• 高隔離度：36 dB（6 GHz時）
• 高輸入線性度：250 MHz至8 GHz
  • P1dB：28 dBm（典型值）
  • IP3：44 dBm（典型值）
• 集成式2:4線路解碼器
• 16引腳、3 mm × 3 mm LFCSP封裝
• ESD HBM額定值：250 V（1A級）

HMC344A支持防務和航空航天應用（AQEC標準）

• 下載HMC344ATCPZ-EP數據手冊
• 軍用溫度范圍（?55℃至+125℃）
• 受控制造基線
• 唯一封裝/測試廠
• 產品變更通知
• 認證數據可應要求提供

框圖

引腳配置

接口示意圖

典型性能特征

EV1HMC344ALP3是一款4層評估板。每個銅層為0.5盎司(0.7密耳)，由介電材料隔開。圖14顯示了該評估板的層疊結構。

圖15是推薦用于負電壓控制開關的晶體管至晶體管電平(TTL)兼容控制的外部接口電路。

圖16顯示了EV1HMC344ALP3評估板的布局和元件布局。電源端口連接到虛擬機測試點J8。控制電壓CTLA和TLB連接到A和B測試點J9和J10。接地參考連接到GND測試點J11。然后，IC引腳連接到PCB地，以最大化隔離。在電源走線VE上使用一個1 nF旁路電容來過濾高頻噪聲。