概述
HMC241ALP3E是一款通用型、非反射式、100 MHz至4 GHz單刀四擲(SP4T)開關,采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。該開關提供43 dB(典型值)的高隔離度(2 GHz)、0.7 dB的低插入損耗(2 GHz)和片內端接隔離端口。
片內電路允許HMC241ALP3E以3 V至5 V范圍內的單正電源電壓運行。此開關需要兩個正邏輯控制電壓。HMC241ALP3E內置片內二進制2:4線路解碼器,通過兩條邏輯輸入線路提供邏輯控制,便于選擇四個射頻(RF)線路中的一個。
HMC241ALP3E采用3 mm × 3 mm、16引腳LFCSP封裝。HMC7992是此開關的硅版本,在更高頻率下具有更好的性能。
數據表:*附件:HMC241ALP3E GaAs、非反射式、SP4T開關,100MHz至4GHz技術手冊.pdf
應用
- 蜂窩/4G基礎設施
- 無線基礎設施
- 汽車遠程信息處理
- 移動無線電
- 測試設備
特性 - 寬帶頻率范圍:100 MHz至4 GHz
- 非反射式50 Ω設計
- 低插入損耗:0.7 dB(2 GHz時)
- 高隔離度:43 dB(2 GHz時)
- 高輸入線性度:250 MHz至4 GHz高功率處理能力單正電源:3 V至5 V
- 集成式2:4線路解碼器
- 16引腳、3 mm × 3 mm LFCSP封裝
- ESD額定值:250 V(1A級)
- 與HMC7992引腳兼容
- 欲了解更多特性,請參考數據手冊
**HMC241ALP3E支持防務和航空航天應用(AQEC標準)
功能框圖
引腳配置
接口示意圖
典型性能特征
108333-HMC241ALP3是一款4層評估板。每層銅為0.7密耳(0.5盎司),由介電材料隔開。圖14顯示了該評估板的層疊結構。
所有RF和dc走線都布設在頂層銅層上,內層和底層是接地層,為RF傳輸線提供固體接地。頂部介電材料是10密耳的Rogers RO4350。中間和底部介電材料提供機械強度。整個板厚為62密耳,允許SMA發射器在板邊緣連接。
圖15顯示了108333-HMC 241 ALP 3評估板的布局和元件布局。電源端口連接到Voo測試點J6。控制電壓連接到A和B測試點J8和J7。接地參考連接到GND測試點J9。NIC引腳連接到PCB地,以實現最大隔離。在電源走線上,10 nF旁路電容Voo用于濾除高頻噪聲。
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