概述

HMC349ALP4CE 是一款工作頻率范圍為 100 MHz 至 4 GHz 的砷化鎵 (GaAs) 單刀雙擲 (SPDT) 開關。

HMC349ALP4CE 具有隔離度高 (62 dB)、插入損耗低 (1.0 dB)、輸入 IP3 高 (53 dBm) 和輸入 P1dB 高 (34 dBm) 等特性，因此適用于無線基礎設施應用。

HMC349ALP4CE 使用電壓為 3 V 至 5 V 的單一正電源工作，并且提供一個與 CMOS/TTL 兼容的控制接口。

HMC349ALP4CE 采用符合 RoHS 指令的 16 引腳 4 mm × 4 mm 引線框芯片尺寸級封裝 (LFCSP)。
數據表：*附件：HMC349ALP4CE高度隔離的非反射式100MHz至4GHz GaAs SPDT開關技術手冊.pdf

應用

• 無線基礎設施
• 移動無線電
• 測試設備
  特性
• 非反射 50 Ω 設計
• 高隔離：2 GHz 時為 62 dB
• 低插入損耗：2 GHz 時為 1.0 dB
• 高輸入線性度
  • 1 dB 功率壓縮 (P1dB)：34 dBm（典型值）
  • 3 階交調點 (IP3)：53 dBm（典型值）
• 高功率處理能力
  • 33.5 dBm 直通路徑，VDD = 5 V
  • 26.5 dBm 終止路徑
• 單一正電源：3 V 至 5 V
• CMOS/TTL 兼容控制
• 全關閉狀態控制
• 16 引腳 4 mm × 4 mm LFCSP
• 引腳與 HMC8038 兼容

框圖

引腳配置

接口示意圖

典型性能特征

HMC349ALP4CE使用4層評估板。每層銅的厚度為0.5盎司(0.7密耳)。頂部介電材料為10密耳Rogers RO4350，可提供良好的高頻性能，中間和底部介電材料為FR-4型材料，以實現62密耳的整體板厚。所有RF和dc走線都布設在頂層銅層上，內層和底層是接地層，為RF傳輸線提供堅實的接地。RF傳輸線路采用共面波導(CPWG)模型設計，寬度為13密耳，接地間距為10密耳，特性阻抗為50ω。為了實現良好的RF和熱接地，盡可能多的電鍍通孔布置在傳輸線路周圍和封裝裸露焊盤下方。
圖24顯示了populatedEV1HMC349ALP4CE評估板的俯視圖。封裝接地引腳直接連接到接地層，接地層連接到GND直流引腳(J6和J7)。一個電源端口連接到標有VDD (J5)的直流引腳。一個未安裝的旁路電容位置可用于過濾電源走線上的高頻噪聲。兩個控制端口連接到CTRL和EN dc引腳(J4和J8)。射頻端口連接到RFC、RF1和RF2連接器(J1、JBOY3樂隊和J2 ),它們是PC安裝超小型(SMA)射頻連接器。此外，100 pF隔直電容(C1、C2和C3)用于射頻傳輸線路。連接未安裝射頻連接器(J4和J5)的直通傳輸線也可用于測量和消除PCB的損耗。
圖25和表6分別是評估板原理圖和材料清單。