概述
ADRF5048是一款非反射式SP4T開關(guān)，采用絕緣硅(SOI)工藝制造。

該器件的工作頻率范圍為100 MHz至45 GHz，具有低于4.0 dB的插入損耗，以及高于35 dB的隔離性能。ADRF5048的直通路徑、端接路徑和RF公共端口熱切換分別具有30 dBm、18 dBm和30 dBm的RF輸入功率處理能力。

ADRF5048需采用+3.3 V和?3.3 V雙電源供電。該器件采用互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)/低壓晶體管對晶體管邏輯(LVTTL)邏輯兼容控制。

ADRF5048具有使能和邏輯選擇控制特性，可分別提供全部關(guān)斷狀態(tài)和鏡像端口選擇功能。

ADRF5048與ADRF5049、ADRF5042和ADRF5043引腳兼容。

ADRF5048采用符合RoHS標準的24引腳、3 mm × 3 mm、基板柵格陣列(LGA)封裝，工作溫度范圍為?40°C至+105°C。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADRF5048 100MHz至45GHz硅SP4T非反射式開關(guān)技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• 工業(yè)掃描儀
• 測試儀器儀表
• 蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施——毫米波5G
• 軍用無線電、雷達和電子對抗(ECM)
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
  特性
• 超寬帶頻率范圍：100 MHz至45 GHz
• 非反射式50 Ω設(shè)計
• 低插入損耗
  • 1.4 dB（典型值，18 GHz）
  • 2.4 dB（典型值，40 GHz）
  • 4.0 dB至45 GHz（典型值）
• 高隔離度
• 41 dB（典型值，18 GHz）
• 35 dB（典型值，40 GHz）
• 35 dB（典型值，45 GHz）
• 高輸入線性度
• P0.1dB：>30 dBm（典型值）
• IP3：52 dBm（典型值）
• 高功率處理
  • 30 dBm（直通路徑）
  • 18 dBm（端接路徑）
• 無低頻雜散
• ESD額定值
• HBM
• ±1000 V（RFx引腳）
• ±2000 V（電源和數(shù)字控制引腳）
• CDM：±500 V（所有引腳）
• 導(dǎo)通和關(guān)斷時間（50% VCTRL至最終RFout的90%）：20 ns
• RF建立時間（50% VCTRL至0.1 dB的最終RF out ）：60 ns
• 3 mm x 3 mm、24引腳LGA封裝
• 與ADRF5049、ADRF5042和ADRF5043引腳兼容

框圖

引腳配置

接口示意圖

ADRF5048有兩個電源引腳(VDD和VSS)和四個控制引腳(V1、V2、LS和EN)。圖24顯示了電源和控制引腳的外部元件和連接。VDD引腳和VSS引腳通過一個100pF多層陶瓷電容去耦。ADRF5048引腳排列允許去耦電容靠近器件放置。當RF線路偏置電壓不為0v時，除了RFx引腳上的DC隔直電容之外，偏置和工作不需要其他外部元件，詳情參見“引腳配置和功能描述”部分。

RF端口內(nèi)部匹配50ω，引腳排列設(shè)計用于匹配PCB上具有50ω特性阻抗的共面波導(dǎo)(CPWG)。圖25顯示了采用8密耳厚RogersRO4003電介質(zhì)材料的RF基板的referencedCPWG RF走線設(shè)計。對于2.2密耳的精加工銅厚度，建議使用14密耳寬和7密耳間隙的RF走線。

圖26顯示了來自ADRF5048的RF走線、電源和控制信號的布線。接地層通過盡可能多的填充通孔連接，以實現(xiàn)最佳RF和散熱性能。ADRF5048的主要熱路徑是底部