概述
ADRF5080是一款反射式SP8T開關，采用硅工藝制造。ADRF5080的工作頻率范圍為100 MHz至20 GHz，插入損耗低于2.0 dB，隔離性能高于40 dB。針對插入損耗路徑，該器件具有30 dBm（連續波功率）的RF輸入功率處理能力。

ADRF5080采用+3.3 V和?3.3 V雙電源供電。該器件還可以采用單電源電壓(VDD)供電，同時負電源引腳(VSS)接地。

ADRF5080采用兼容互補金屬氧化物半導體(CMOS)/低壓晶體管對晶體管邏輯(LVTTL)的控件。

ADRF5080采用符合RoHS標準的36引腳、5.50 mm × 5.50 mm、基板柵格陣列(LGA)封裝，工作溫度范圍為?40°C至+105°C。
數據表：*附件：ADRF5080 100MHz至20GHz反射式硅SP8T開關技術手冊.pdf

應用

• 測試和儀器儀表
• 軍用無線電、雷達和電子對抗(ECM)
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
  特性
• 超寬帶頻率范圍：100 MHz至20 GHz
• 低插入損耗
  • 1.3 dB，高達6 GHz
  • 1.6 dB，高達12 GHz
  • 2.0 dB，高達20 GHz
• 高隔離度
• 46 dB，高達6 GHz
• 45 dB，高達12 GHz
• 40 dB，高達20 GHz
• 高輸入線性度
• P0.1dB：33 dBm（典型值）
• IP3：55 dBm（典型值）
• 高RF功率處理
  • 插入損耗路徑：33 dBm
  • 熱切換：30 dBm
• 快速開關時間：55 ns
• 0.1 dB建立時間（50%VCTRL至0.1 dB最終RF OUT ）：100 ns
• 單電源供電能力
• 全部關斷狀態控制
• 邏輯選擇控制
• 無低頻雜散
• 36引腳、5.50 mm x 5.50 mm LGA封裝

引腳配置

接口示意圖

ADRF5080有兩個電源引腳(VDD和VSS)和五個數字控制引腳(LS、EN、V1、V2和V3)。圖27顯示了電源和控制引腳的外部元件和連接。電源和控制引腳通過一個10 pF或100pF多層陶瓷電容去耦。器件引腳排列允許去耦電容靠近器件放置。當RF線路偏置電壓不為0 V時，除了RFx引腳上的隔直電容之外，偏置和工作不需要其他外部元件，詳情參見“引腳配置和功能描述”部分。

RF端口內部匹配50ω，引腳排列設計用于匹配PCB上具有50ω特性阻抗的共面波導(CPWG)。圖28顯示了采用8密耳厚RogersRO4003電介質材料的RF基板的referencedCPWG RF走線設計。對于2.8密耳的精加工銅厚度，建議使用14密耳寬和7密耳間隙的RF走線。