概述
ADRF5022是一款非反射式、單刀雙擲(SPDT)開關，采用硅工藝制造。

ADRF5022的工作頻率范圍為100 MHz至45 GHz，典型插入損耗為2.3 dB，隔離度為43 dB。該器件的直通路徑、端接路徑和RF公共端口熱切換分別具有30 dBm、24 dBm和30 dBm的RF輸入功率處理能力。

ADRF5022需采用3.3 V正電源和?3.3 V負電源供電。該器件采用互補金屬氧化物半導體(CMOS)/低壓晶體管對晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制。

ADRF5022也可以在單個正電源電壓(V DD )下工作，同時負電源電壓(V SS )接地。在此工作條件下，可在降低開關特性、線性度和功率處理性能的同時保持小信號性能。有關更多詳細信息，請參閱數(shù)據(jù)手冊中的表2。

ADRF5022與ADRF5023低頻截止版本引腳兼容，工作頻率范圍為9 kHz至45 GHz。

ADRF5022采用符合RoHS標準的20引腳、3.0 mm × 3.0 mm、基板柵格陣列(LGA)封裝，工作溫度范圍可為?40°C至+105°C。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADRF5022 100MHz至45GHz硅SPDT非反射式開關技術手冊.pdf

應用

• 測試和儀器儀表
• 蜂窩基礎設施：5G毫米波
• 軍用無線電、雷達和電子對抗(ECM)
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
• 工業(yè)掃描儀
  特性
• 超寬帶頻率范圍：100 MHz至45 GHz
• 非反射設計
• 低插入損耗
  • 1.2 dB（典型值）至18 GHz
  • 1.9 dB（典型值）至40 GHz
  • 2.3 dB（典型值）至45 GHz
• 高隔離度：43 dB（典型值）至45 GHz
• 高輸入線性度
  • 0.1 dB功率壓縮(P0.1dB)：31 dBm
  • 三階交調點(IP3)：55 dBm
• TCASE = 85°C時具有高功率處理能力
  • 30 dBm（直通路徑）
  • 24 dBm（端接路徑）
  • 30 dBm熱切換（RFC端口）
• RF建立時間（0.1 dB最終RF輸出）：30 ns
• 無低頻雜散信號
• 全部關斷狀態(tài)控制
• 正控制接口：CMOS/LVTTL兼容
• 20引腳、3.0 mm × 3.0 mm LGA封裝
• 與ADRF5023引腳兼容，低頻截止版本

框圖

引腳配置

接口示意圖

ADRF5022有兩個電源引腳(VDo和Vss)和兩個控制引腳(CTRL和EN)。圖18顯示了電源和控制引腳的外部元件和連接。voo和Vss引腳通過一個100 pF多層陶瓷電容去耦。器件引腳排列允許去耦電容靠近器件放置。偏置和工作不需要其它外部元件，但當RF線路偏置電壓不同于0v時，RF引腳上的DC隔直電容除外，詳情參見“引腳配置和功能描述”部分。