概述

ADPA1116 是一款 0.3 GHz 至 6 GHz 功率放大器，具有 飽和輸出功率 （POUT）~ 為 39.5 dBm，功率附加效率 （PAE） 為 40%，功率增益為 23.5 dB（典型值，0.5 GHz 時） 到 5 GHz，輸入功率 （PIN）~ 為 16.0 dBm。RF 輸入和 RF 輸出內部匹配和 AC 耦合。漏極偏壓 28 V 的電壓施加到 VDD1 和 VDD2 引腳，它們具有 集成偏置電感器。漏極電流通過應用 VGG1 引腳的負電壓。

該ADPA1116采用氮化鎵 （GaN） 工藝制造， 采用 32 引腳架構芯片級封裝，預成型 腔 [LFCSP_CAV]，指定工作溫度范圍為 ?40°C 至 +85°C 的溫度下。

數據表：*附件：ADPA1116 0.3GHz至6GHz、39.5 dBm、GaN功率放大器技術手冊.pdf

特性

• 內部匹配、0.3 GHz 至 6 GHz、39.5 dBm GaN 功率放大器
• RF 輸入和 RF 輸出交流耦合
• 集成漏極偏置電感器
• 輸出功率：39.5 dBm（典型值，0.5 GHz 至 5 GHz）（PIN = 16.0 dBm）
• 功率增益：0.5 GHz 至 5 GHz 范圍內為 23.5 dB（典型值）（PIN = 16.0 dBm）
• PAE：0.5 GHz 至 5 GHz 范圍內為 40% 典型值 （PIN = 16.0 dBm）
• 小信號增益：33.5 dB（典型值，0.5 GHz 至 5 GHz）
• 電源電壓：28 V
• 靜態電流：300 mA

框圖

引腳配置

接口示意圖

典型性能特征

ADPA1116是一款GaN功率放大器，具有級聯增益級，由正漏極電源和外部施加的負柵極電壓偏置。28 V標稱Voo施加于第一和第二級漏極，負電壓施加于GG1引腳，將總Ipo設置為300 mA標稱值。如上所述偏置時，器件以AB類工作，導致飽和時PAE最大。ADPA1116的每個漏極都有集成的RF扼流圈，并且片內集成了RFIN和RFOUT端口的DC阻塞。

圖51顯示了ADPA1116的典型應用電路。