概述

HMC8411LP2FE 是一款砷化鎵 (GaAs)、單片微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 低噪聲寬帶放大器，工作范圍為 0.01 GHz 至 10 GHz。

HMC8411LP2FE 提供 15.5 dB 的典型增益、1.7 dB 的典型噪聲指數和 34 dBm 的典型輸出三階交調點 (OIP3)，只需要 55 mA 電流，5 V 電源電壓。19.5 dBm 的典型飽和輸出功率 (P ~SAT) 可以使低噪聲放大器 (LNA) 用作 ADI公司眾多平衡式同相/正交 (I/Q) 或鏡像抑制混頻器的本地振蕩器 (LO) 驅動器。

HMC8411LP2FE 還具有可在內部匹配至 50 ? 的輸入和輸出，使得該器件非常適合基于表面貼裝技術 (SMT) 的高容量微波無線電應用。

HMC8411LP2FE 采用符合 RoHS 指令的 2 mm × 2 mm 6 引腳 LFCSP 封裝。

多功能引腳名稱只能供其相關功能引用。
數據表：*附件：HMC8411 0.01GHz至10GHz低噪聲放大器技術手冊.pdf

應用

• 測試儀器儀表
• 軍事通信

特性

• 低噪聲系數：1.7 dB（典型值）
• 單正電源（自偏置）
• 高增益：15.5 dB（典型值）
• 高OIP3：34 dBm（典型值）
• 6引腳、2 mm × 2 mm LFCSP

框圖

接口示意圖

典型性能特征

HMC8411LP2FE是一款MMIC GaAs pHEMT低噪聲寬帶放大器。HMC8411LP2FE具有單端輸入和輸出端口，在0.01 GHz至10GHz頻率范圍內，阻抗標稱值等于50ω。因此，該器件可以直接插入RF輸入和輸出端帶有外部元件的50ω系統，如圖71所示，無需窄帶匹配解決方案。VDD/RFOUT引腳上需要一個外部偏置電感和隔直電容。RFIN引腳上還需要一個隔直電容。在RF輸入端，有一個額外的電阻、電感和電容(RLC)分流網絡，確保100 MHz以下的無條件穩定性。

典型應用電路

EV1HMC8411LP2F評估板是一款4層板，采用Rogers 4350和高頻RF設計最佳實踐制造。RF輸入和RF輸出走線的特性阻抗為50歐姆。
評估板和組裝元件的工作環境溫度范圍為-40°C至+85°C。有關正確的偏置序列，請參見“應用信息”部分。評估板原理圖如圖73所示。

輪廓尺寸