概述

ADH8411S-CSH 是一款砷化鎵 (GaAs)、單片微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 低噪聲寬帶放大器，工作范圍為 0.01 至 10 GHz。

ADH8411S-CSH 提供 15.5 dB 的典型增益、1.7 dB 的典型噪聲指數和 34 dBm 的典型輸出三階交調點 (OIP3)，只需要 55 mA 電流，5 V 電源電壓。19.5 dBm 的典型飽和輸出功率 (P SAT ) 可以使低噪聲放大器 (LNA) 用作 ADI 公司眾多平衡式同相/正交 (I/Q) 或鏡像抑制混頻器的本地振蕩器 (LO) 驅動器。

ADH8411S-CSH 還具有可在內部匹配至 50 Ω 的輸入和輸出，非常適合基于表面貼裝技術 (SMT) 的高容量微波射頻應用。

ADH8411S-CSH 采用符合 RoHS 指令的 2 mm × 2 mm 6 引腳 LFCSP 封裝。

在本數據手冊全文中，多功能引腳（例如 RF OUT /V DD ）可能使用引腳全稱或引腳的單一功能指代，例如 RF OUT （如果僅與該功能相關時）。有關其他應用和技術信息，請參閱“商業太空產品計劃”手冊和 HMC8411 數據手冊。
數據表：*附件：ADH8411S 0.01 GHz至10 GHz低噪聲放大器技術手冊.pdf

應用

• 低地球軌道 (LEO) 衛星
• 軍事通信

特性

• 低噪聲指數：1.7 dB（典型值）
• 單一正電源（自偏置）
• 高增益：15.5 dB（典型值）
• 高 OIP3：34 dBm（典型值）
• 6 引腳 2 mm × 2 mm LFCSP

商業空間特性

• 支持航空航天應用
• 合規證書
• 晶圓擴散批次具有可追溯性
• 老化測試、耐久試驗和德爾塔分析
• 輻射批次驗收測試 (RLAT)
• 總電離輻射劑量 (TID)
• 輻射基準
• 有效線性能量傳輸 (LET) 不發生 SEL：≤ 62.4 MeV-cm2/mg

框圖

引腳配置

接口示意圖

典型性能特征