概述
HMC8500PM5E 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器，可在 30 dBm 的輸入功率下，在 0.01 GHz 至 2.8 GHz 瞬時帶寬上實現 10 W (40 dBm) 輸出（典型值），功率附加效率 (PAE) 高達 55%。在小信號電平下，典型增益平坦度為 3 dB。

HMC8500PM5E 非常適合脈沖波或連續波 (CW) 應用，例如無線基礎設施、雷達、公共移動無線電通信和通用放大技術。

HMC8500PM5E 放大器使用低成本的表面安裝組件進行外部調諧，并且采用緊湊的 LFCSP 封裝。
數據表：*附件：HMC8500PM5E 10W (40dBm) 0.01GHz至2.8 GHz GaN功率放大器技術手冊.pdf

應用

• 適合公共移動無線電通信的長時間電池供電運行
• 適合無線基礎設施的功率放大器級
• 測試與測量設備
• 商用和軍用雷達
• 通用發射器應用

特性

• 小信號增益高：15.0 dB（典型值）
• P OUT：PIN = 30 dBm 時為 40 dBm（典型值）
• 高 PAE：PIN= 30 dBm 時為 55%（典型值）
• 頻率范圍：在整個頻率范圍內為 0.01 GHz 至 2.8 GHz
• 靜態電流為 100 mA 時 VDD= 28 V
• 內部預匹配
  • 可針對最佳性能進行簡單且緊湊的外部調諧
• 5 mm × 5 mm 32 引腳 LFCSP 封裝

框圖

引腳配置和功能描述

接口示意圖

典型性能特征

該器件的所有測量都是利用典型應用電路進行的，其配置如組裝圖所示(見圖44)。電氣規格表中所示的偏置條件是優化整體性能的推薦工作點。除非另有說明，所示數據均采用推薦的偏置條件。HMC8500PM5E在其他偏置條件下工作可能會導致性能與“典型性能特性”部分所示的不同。

HMC8500PM5E評估板是一個雙層板，采用Rogers 4350材料和高頻RF設計推薦的布局技術制造。RF輸入和RF輸出走線的特性阻抗為50歐姆。該板使用導電導熱環氧樹脂附著在散熱器上，提供低熱低直流電阻路徑。使用SN63焊料安裝元件，允許表面安裝元件返工，而不影響電路板與散熱器的連接。
評估板和組裝元件的設計工作環境溫度范圍為–40℃至+85 ℃。操作期間，將評估板連接到溫度控制板上，以控制HMC 8500pm 5操作期間的溫度。有關正確的偏置序列，請參見“應用信息”部分。ADI公司可應要求提供完整組裝和測試的評估板，如圖45所示。