概述

HMC8325是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、低噪聲放大器(LNA)芯片，工作頻率范圍為71 GHz至86 GHz。HMC8325提供22 dB增益、13 dBm輸出P1dB、22 dBm OIP3和17 dBm PSAT ，采用3 V電源供電時功耗僅為50 mA。HMC8325提供出色的線性度并針對E頻段通信和高容量無線回程無線電系統進行優化。所有數據均利用50 Ω測試夾具中的芯片獲取，通過各端口上寬度為3 mil、厚度為0.5 mil、長度為7 mil的焊線連接。
數據表：*附件：HMC8325 71 GHz至86GHz，E頻段低噪聲放大器技術手冊.pdf

應用

• E頻段通信系統
• 高容量無線回程
• 測試與測量

特性

• 增益：21 dB（典型值）
• 噪聲系數：3.6 dB（典型值）
• 針對1 dB壓縮的輸出功率：13 dBm（典型值）
• 最大增益時的輸入三階交調截點：1 dBm（典型值）
• 最大增益時的輸出三階交調截點：22 dBm（典型值）
• 飽和輸出功率：17 dBm（典型值）
• 輸入回波損耗：15 dB（典型值）
• 輸出回波損耗：17 dB（典型值）
• 裸片尺寸：2.844 mm × 0.999 mm × 0.05 mm

框圖

引腳配置和功能描述

接口示意圖

圖45所示的典型應用電路顯示了帶有所有所需旁路元件的HMC8325芯片。建議使用足夠的旁路電容旁路所有電源連接。使用單層芯片電容，其自諧振頻率非常高，接近HMC8325芯片。

裝配圖

輪廓尺寸