LP3875-ADJ 快速超低壓差 LDO 由 2.5V 至 7V 輸入電源供電。這種超低壓差 LDO 對(duì)負(fù)載的階躍變化響應(yīng)非常迅速，因此非常適合低壓微處理器應(yīng)用。LP3875-ADJ 采用 CMOS 工藝開發(fā)，可實(shí)現(xiàn)獨(dú)立于輸出負(fù)載電流的低靜態(tài)電流運(yùn)行。這種 CMOS 工藝還允許 LP3875-ADJ 在極低的壓差條件下工作。
*附件：LP3875-ADJ 1.5A 快速超低壓差 LDO 數(shù)據(jù)表 .pdf

• 壓差電壓：超低壓差電壓;150mA 負(fù)載電流時(shí)典型值為 38mV，1.5A 負(fù)載電流時(shí)典型值為 380mV。
• 接地引腳電流：負(fù)載電流為 1.5A 時(shí)，典型值為 6mA。
• 關(guān)斷模式：當(dāng) SD 引腳被拉低時(shí)，靜態(tài)電流通常為 10nA。
• 可調(diào)輸出電壓：輸出電壓可通過兩個(gè)外部電阻器進(jìn)行編程。

特性

• 輸入電壓范圍：2.5 V 至 7 V
• 超低壓差
• 低接地引腳電流
• 負(fù)載調(diào)整率 0.06%
• 關(guān)斷模式下的靜態(tài)電流為 10nA
• 額定輸出電流為 1.5A DC
• 最低輸出電容要求
• 過熱/過流保護(hù)
• ?40°C 至 +125°C 結(jié)溫范圍
• 采用 DDPAK/TO-263 和 SOT-223 封裝

參數(shù)

方框圖

一、概述

LP3875-ADJ是一款1.5A快速超低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO），能夠在2.5V至7V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。它提供了超低的壓差電壓、低靜態(tài)電流以及出色的負(fù)載和線性調(diào)整率，適用于微處理器電源供應(yīng)、DSP電源、電池充電器等多種應(yīng)用。

二、主要特性

• ?輸入電壓范圍?：2.5V至7V
• ?超低壓差電壓?：在150mA負(fù)載電流下典型值為38mV，在1.5A負(fù)載電流下典型值為380mV
• ?低靜態(tài)電流?：關(guān)斷模式下典型靜態(tài)電流為10nA
• ?高負(fù)載電流?：最大輸出電流為1.5A
• ?出色的調(diào)整率?：負(fù)載調(diào)整率為0.06%，線性調(diào)整率為0.02%
• ?過熱和過流保護(hù)?：提供過熱和過流保護(hù)功能
• ?寬溫度范圍?：工作結(jié)溫范圍為-40°C至+125°C

三、封裝與引腳

LP3875-ADJ提供DDPAK/TO-263和SOT-223兩種封裝選項(xiàng)。主要引腳包括輸入（IN）、輸出（OUT）、地（GND）、調(diào)整（ADJ）和關(guān)斷（SD）。

四、電氣特性

• ?輸出電壓調(diào)整?：通過外部電阻器R1和R2可編程設(shè)置輸出電壓
• ?輸出噪聲?：在10Hz至100kHz帶寬內(nèi)，輸出噪聲電壓為150μV（rms）
• ? 電源抑制比(PSRR) ?：在120Hz頻率下，PSRR為73dB
• ?短路保護(hù)?：具有短路保護(hù)功能，短路電流限制為3.2A

五、應(yīng)用提示

• ?外部電容器?：為確保穩(wěn)定性，輸入電容器至少為10μF，輸出電容器應(yīng)直接連接到輸出和地引腳，且ESR值需在一定范圍內(nèi)。
• ?PCB布局?：良好的PCB布局對(duì)穩(wěn)定性至關(guān)重要，輸入和輸出電容器應(yīng)盡可能靠近設(shè)備，并使用短跡線連接。
• ?輸出電壓設(shè)置?：輸出電壓通過公式VOUT = 1.216 × (1 + R1/R2)設(shè)置，其中R1和R2為外部電阻器。

六、熱管理與散熱

LP3875-ADJ在滿負(fù)荷工作時(shí)可能產(chǎn)生較高的功耗，因此需要考慮散熱問題。可以通過增加PCB上的銅面積或使用熱沉來降低熱阻，確保結(jié)溫不超過允許范圍。

七、包裝與材料信息

數(shù)據(jù)表提供了詳細(xì)的包裝和材料信息，包括封裝尺寸、引腳分配、包裝材料和運(yùn)輸卷盤信息等，以便于生產(chǎn)和組裝。

八、注意事項(xiàng)

• 在選擇電容器時(shí)，應(yīng)考慮電容器的容差、溫度變化和ESR特性，以確保穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性。
• 在高噪聲環(huán)境中，應(yīng)采取適當(dāng)?shù)拇胧﹣頊p少RFI/EMI對(duì)穩(wěn)壓器性能的影響。
• 在使用過程中，應(yīng)注意靜電防護(hù)，避免對(duì)MOS柵極造成靜電損傷。