LP3874-ADJ 快速超低壓差線性穩(wěn)壓器采用 +2.5V 至 +7.0V 輸入電源工作。這些超低壓差線性穩(wěn)壓器對(duì)負(fù)載的階躍變化響應(yīng)非常迅速,這使得它們適用于低電壓微處理器應(yīng)用。LP3874-ADJ 采用 CMOS 工藝開(kāi)發(fā),可實(shí)現(xiàn)獨(dú)立于輸出負(fù)載電流的低靜態(tài)電流運(yùn)行。這種 CMOS 工藝還允許 LP3874-ADJ 在極低的壓差條件下工作。
*附件:LP3874-ADJ 0.8A 快速超低壓差線性穩(wěn)壓器 數(shù)據(jù)表.pdf
壓差tage: 超低壓差;在 80mA 負(fù)載電流下通常為 24mV,在 0.8A 負(fù)載電流下通常為 240mV。
接地引腳電流: 負(fù)載電流為 0.8A 時(shí),典型值為 6mA。
關(guān)機(jī)模式: 當(dāng)關(guān)斷引腳被拉低時(shí),靜態(tài)電流通常為 10nA。
可調(diào)輸出電壓: 輸出電壓可通過(guò)兩個(gè)外部電阻器進(jìn)行編程。
特性
- 超低壓差
- 低接地引腳電流
- 負(fù)載調(diào)整率 0.04%
- 停機(jī)模式下的 10nA 靜態(tài)電流
- 額定輸出電流為 0.8A DC
- 采用 DDPAK/TO-263、TO-220 和 SOT-223 封裝
- 最低輸出電容要求
- 過(guò)熱/過(guò)流保護(hù)
- ?40°C 至 +125°C 結(jié)溫范圍
方框圖
一、概述
LP3874-ADJ是一款0.8A快速超低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO),適用于+2.5V至+7.0V的輸入電壓范圍。該穩(wěn)壓器具有超低壓差電壓、低靜態(tài)電流、出色的負(fù)載調(diào)整率和線性調(diào)整率,適用于微處理器電源供應(yīng)、DSP電源、電池充電器等多種應(yīng)用。
二、主要特性
- ?超低壓差電壓?:在80mA負(fù)載電流下典型值為24mV,在0.8A負(fù)載電流下典型值為240mV
- ?低靜態(tài)電流?:關(guān)斷模式下典型靜態(tài)電流為10nA
- ?高負(fù)載電流?:最大輸出電流為0.8A
- ?出色的調(diào)整率?:負(fù)載調(diào)整率為0.04%,線性調(diào)整率為0.02%
- ?寬溫度范圍?:工作結(jié)溫范圍為-40°C至+125°C
- ?保護(hù)功能?:具有過(guò)溫和過(guò)流保護(hù)功能
三、封裝與引腳
LP3874-ADJ提供DDPAK/TO-263、TO-220和SOT-223三種封裝選項(xiàng)。主要引腳包括輸入(VIN)、輸出(VOUT)、地(GND)、調(diào)整(ADJ)和關(guān)斷(SD)。
四、電氣特性
- ?輸出電壓調(diào)整?:通過(guò)外部電阻器R1和R2可編程設(shè)置輸出電壓,公式為VOUT = 1.216 × (1 + R1/R2)
- ?輸出噪聲?:在10Hz至100kHz帶寬內(nèi),輸出噪聲電壓為150μV(rms)
- ? 電源抑制比(PSRR) ?:在120Hz頻率下,PSRR為73dB
- ?短路保護(hù)?:具有短路保護(hù)功能,短路電流限制為2.3A
五、應(yīng)用提示
- ?外部電容器?:為確保穩(wěn)定性,輸入電容器至少為10μF,輸出電容器應(yīng)直接連接到輸出和地引腳,且ESR值需在一定范圍內(nèi)。推薦使用鉭電容器作為輸出電容器。
- ?PCB布局?:良好的PCB布局對(duì)穩(wěn)定性至關(guān)重要,輸入和輸出電容器應(yīng)盡可能靠近設(shè)備,并使用短跡線連接。
- ?輸出電壓設(shè)置?:在輸出電壓設(shè)置為2.0V或以下時(shí),啟動(dòng)過(guò)程中輸出電壓可能會(huì)暫時(shí)超過(guò)設(shè)定值。
六、熱管理與散熱
LP3874-ADJ在滿負(fù)荷工作時(shí)可能產(chǎn)生較高的功耗,因此需要考慮散熱問(wèn)題。可以通過(guò)增加PCB上的銅面積或使用熱沉來(lái)降低熱阻,確保結(jié)溫不超過(guò)允許范圍。
七、包裝與材料信息
數(shù)據(jù)表提供了詳細(xì)的包裝和材料信息,包括封裝尺寸、引腳分配、包裝材料和運(yùn)輸卷盤(pán)信息等,以便于生產(chǎn)和組裝。
八、注意事項(xiàng)
- 在選擇電容器時(shí),應(yīng)考慮電容器的容差、溫度變化和ESR特性,以確保穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性。
- 在高噪聲環(huán)境中,應(yīng)采取適當(dāng)?shù)拇胧﹣?lái)減少RFI/EMI對(duì)穩(wěn)壓器性能的影響。
- 在使用過(guò)程中,應(yīng)注意靜電防護(hù),避免對(duì)MOS柵極造成靜電損傷。
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