一、產(chǎn)品定位：高精度半導(dǎo)體測(cè)試解決方案

SC2020晶體管測(cè)試系統(tǒng)是專為二極管、三極管、IGBT、MOSFET等?半導(dǎo)體分立器件?設(shè)計(jì)的?電學(xué)參數(shù)測(cè)試設(shè)備?，集成實(shí)驗(yàn)室級(jí)測(cè)量精度（±0.1%）與工業(yè)級(jí)測(cè)試效率（10,000UPH）。系統(tǒng)通過?GJB128軍標(biāo)認(rèn)證?，適用于元器件生產(chǎn)企業(yè)的?晶圓中測(cè)/封裝成測(cè)?、科研院所的?失效分析?以及電子制造企業(yè)的?IQC來料檢驗(yàn)?。

二、SC2020系統(tǒng)五大核心優(yōu)勢(shì)解析

1. 多量程精密測(cè)試架構(gòu)

?寬范圍電源系統(tǒng)?：2000V高壓源（±0.5%）/500A大電流源（±1%）協(xié)同工作

?納米級(jí)測(cè)量精度?：16位ADC模組實(shí)現(xiàn)1.5pA漏電流檢測(cè)，四線開爾文連接消除接觸電阻

?智能溫漂補(bǔ)償?：環(huán)境溫度波動(dòng)影響＜0.005%/℃

2. 自動(dòng)化測(cè)試能力

?設(shè)備擴(kuò)展接口?：標(biāo)配Prober/Hander接口（16Bin分類），兼容Cohu/TEL等主流?分選機(jī)?

?智能分揀系統(tǒng)?：支持掃碼槍數(shù)據(jù)綁定，實(shí)現(xiàn)DMC全流程追溯

?測(cè)試效率提升?：聯(lián)動(dòng)機(jī)械手工作站的測(cè)試周期≤0.3秒/器件

3. 軍工級(jí)可靠性設(shè)計(jì)

?EMC防護(hù)體系?：通過IEC61340-3-1靜電防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)

?強(qiáng)化散熱結(jié)構(gòu)?：連續(xù)測(cè)試溫升＜15℃（@40A滿載）

?三防處理工藝?：適應(yīng)濕度85%RH無凝露環(huán)境

4. 智能軟件平臺(tái)

?LabVIEW可視化系統(tǒng)?：支持參數(shù)分檔模板導(dǎo)入/導(dǎo)出（Excel兼容）

?實(shí)時(shí)SPC監(jiān)控?：自動(dòng)生成CPK過程能力分析報(bào)告

?故障自診斷系統(tǒng)?：81類異常狀態(tài)代碼實(shí)時(shí)提示

5. 模塊化擴(kuò)展配置

?動(dòng)態(tài)參數(shù)模塊?：擴(kuò)展Ciss/Coss/Crss等?結(jié)電容測(cè)試?

?高低溫測(cè)試套件?：支持-55℃~175℃溫控腔體接入

?汽車電子套件?：符合AEC-Q101認(rèn)證測(cè)試流程

三、技術(shù)參數(shù)對(duì)比表（關(guān)鍵指標(biāo)）

四、典型測(cè)試場(chǎng)景應(yīng)用

1. 功率器件量產(chǎn)測(cè)試

?IGBT模塊?：BVCES/VCE(sat)/開關(guān)損耗曲線

?MOSFET?：RDS(on)/Qg/Coss非線性特性

?碳化硅器件?：雙脈沖測(cè)試配套方案

2. 質(zhì)量控制體系

?來料檢驗(yàn)?：AQL 0.1抽檢標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施

?失效分析?：ESD/EOS損傷定位檢測(cè)

?可靠性驗(yàn)證?：HTRB/H3TRB試驗(yàn)監(jiān)控

3. 研發(fā)驗(yàn)證平臺(tái)

器件參數(shù)配對(duì)篩選（Vth±2%分組）

溫度特性曲線掃描（-55℃~175℃）

雪崩能量測(cè)試（EAS≥5mJ）

五、行業(yè)方案及常見問題

行業(yè)解決方案

?汽車電子?：滿足ISO16750電源芯片測(cè)試需求

?光伏逆變器?：IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性評(píng)估

?工業(yè)電源?：SR MOSFET體二極管恢復(fù)測(cè)試

常見問題

Q: SC2020測(cè)試系統(tǒng)如何選型？
A: 根據(jù)測(cè)試電流（＞100A需選配擴(kuò)流板）、電壓等級(jí)（＞1400V選高壓套件）、分類需求（＞8Bin需擴(kuò)展接口）

Q: 是否支持Ciss/Coss參數(shù)測(cè)試？
A: 需選配型號(hào)SC2020-CAP模塊（帶寬20MHz，精度±3%）

審核編輯 黃宇