隨著可穿戴設(shè)備對微型化與高效能需求的提升，F(xiàn)eRAM正在助聽器領(lǐng)域展現(xiàn)獨特優(yōu)勢。傳統(tǒng)助聽器受限于閃存的寫入速度慢、功耗高及耐久性不足等問題，而ReRAM憑借其超低功耗、高密度集成、快速讀寫和近乎無限的擦寫次數(shù)，成為優(yōu)化助聽器性能的關(guān)鍵技術(shù)。例如，ReRAM可支持助聽器在實時聲音處理中快速存儲用戶個性化配置，同時顯著延長設(shè)備續(xù)航時間。此外，其抗干擾特性與微型化特點，進一步契合了現(xiàn)代助聽器隱蔽化、智能化的設(shè)計趨勢，為聽力障礙患者提供更穩(wěn)定、持久的解決方案。

加賀富儀艾電子旗下代理品牌RAMXEED有限公司的ReRAM在與傳統(tǒng)EEPROM相比，芯片尺寸相當(dāng)?shù)那闆r下實現(xiàn)了2到6倍的存儲容量。在對芯片尺寸要求嚴(yán)格且同時需要高功能的助聽器領(lǐng)域，RAMXEED的ReRAM被廣泛應(yīng)用于全球。

對體積小且性能高的存儲器有需求的助聽器

在以EEPROM為主流的助聽器中，由于芯片尺寸的限制非常嚴(yán)格，為了適應(yīng)助聽器的小體積，同時在助聽器功能日益增強的情況下，還對存儲容量提出了超過EEPROM的更高要求。

協(xié)力公司：株式會社TechanaLye

RAMXEED的ReRAM通過滿足嚴(yán)格要求，已被包括全球市場份額前兩名在內(nèi)的多家助聽器制造商采用，出貨量已超過2200萬顆。作為一種能夠在與EEPROM相當(dāng)?shù)男酒叽缦聦崿F(xiàn)同等或更高性能且具備8Mbit以上大容量的存儲器，幾乎沒有其他選擇可供替代。

作為另一種選擇，某些情況下也采用了可實現(xiàn)大容量的NOR FLASH存儲器，但其存在功耗高、數(shù)據(jù)寫入單位為扇區(qū)的缺點，這使得訪問存儲器的軟件變得更加復(fù)雜(對于使用EEPROM的客戶而言，使用NOR的難度較高)。

因此，RAMXEED的ReRAM因兼容EEPROM規(guī)范，只需直接替換即可使用，從而將客戶在替換時的設(shè)計負(fù)擔(dān)降至最低。因此，在助聽器的存儲器中，ReRAM成為最有力的選擇。

與其他存儲器相比，RAMXEED ReRAM的定位

RAMXEED生產(chǎn)的ReRAM目前量產(chǎn)的產(chǎn)品包括8Mbit和12Mbit，覆蓋了EEPROM存儲容量上限4Mbit的容量范圍。

與競爭對手內(nèi)存的比較(定位)

8Mbit、12Mbit的ReRAM詳細(xì)規(guī)格如下

ReRAM旨在為助聽器和小型可穿戴設(shè)備提供WLP產(chǎn)品。

高精度的音頻補償與電池壽命的改善

引入的不易失性存儲器從EEPROM更換為ReRAM，使得存儲范圍可提升至原來的2倍至4倍，從而使助聽器的音頻補償更加高精度。同時，由于讀取電流低于EEPROM，電池的續(xù)航也得到了改善。

產(chǎn)品推薦

12Mbit ReRAM ：MB85AS12MT

8Mbit ReRAM：MB85AS8MT

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關(guān)于 RAMXEEDRAMXEED是日本Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited改名的公司。富士通曾是日本知名的半導(dǎo)體供應(yīng)商。有長久制造歷史，高質(zhì)量半導(dǎo)體在各種產(chǎn)業(yè)使用。

RAMXEED商標(biāo)已于2023年2月24日在歐盟知識產(chǎn)權(quán)局(EUIPO)注冊，涵蓋多種半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括集成電路、存儲器件、芯片、元件和基板。

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加賀富儀艾電子(上海)有限公司的主要銷售產(chǎn)品包括 Custom SoCs (ASICs)，代工服務(wù)，專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(ASSPs)，鐵電隨機存儲器，繼電器，MCU和電源功率器件等，它們是以獨立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶，并廣泛應(yīng)用于高性能光通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、手持移動終端、影像設(shè)備、汽車、工業(yè)控制、家電、穿戴式設(shè)備、醫(yī)療電子、電力電表、安防等領(lǐng)域。