UCCx8C5x 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器，可在各種應用中驅動 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4x 的更高效、更穩健的版本。

UCCx8C5x 系列具有新的 UVLO 閾值，可實現可靠的 SiC MOSFET作 （UCC28C56-59），此外，現有的 UVLO 閾值可持續支持 Si MOSFET （UCCx8C50-55）。
*附件：用于 Si 和 SiC MOSFET 的 UCCx8C5x 低功耗電流模式高性能 PWM 控制器數據表 .pdf

VDD 絕對最大額定電壓從 20V 擴展到 30V，以最佳方式驅動 20 V gs、18 V gs 或 15 V gs SiC MOSFET 的柵極，同時還允許排除外部 LDO。

UCCx8C5x 系列采用 8 引腳 VSSOP （DGK） 和 8 引腳 SOIC （D） 封裝。

特性

• 欠壓鎖定選項，支持 Si 和 SiC MOSFET 應用
• 30V VDD 絕對最大電壓
• 1MHz 最大固定頻率作
• 50μA 啟動電流，最大 75μA
• 低工作電流：1.3 mA（f OSC = 52 kHz 時）
• 快速 35ns 逐周期過流限制
• ±1A 峰值驅動電流
• 軌到軌輸出
  • 25ns 上升時間
  • 20 ns 下降時間
• 精度為 ±1% 的 2.5V 誤差放大器基準
• 引腳對引腳兼容，可直接替代 UCCx8C4x
• 功能安全

參數

1. 產品概述

• ?型號?：UCCx8C5x
• ?類型?：低功耗電流模式高性能PWM控制器
• ?應用?：適用于Si和SiC MOSFET，支持各種應用
• ?特性?：提供更高的效率和更魯棒的性能，相比UCCx8C4x系列有顯著提升

2. 主要特性

• ?UVLO選項?：支持Si和SiC MOSFET應用，提供多種UVLO閾值選擇
• ?高電壓支持?：VDD絕對最大電壓擴展至30V，適用于驅動20-Vgs、18-Vgs或15-Vgs的SiC MOSFET
• ?低功耗?：啟動電流50μA（最大），工作電流1.3mA（典型值，f_OSC=52kHz）
• ?快速保護?：35ns的逐周期過流限制
• ?驅動能力?：±1A峰值驅動電流
• ?封裝選項?：8引腳VSSOP（DGK）和8引腳SOIC（D）

3. 功能描述

• ?保護功能?：包括欠壓鎖定（UVLO）、過流限制等
• ?電流模式控制?：提供穩定的電流控制和快速的瞬態響應
• ?高精度參考電壓?：內部參考電壓精度±1%
• ?靈活的配置?：通過外部元件配置最大占空比、軟啟動時間等參數

4. 電氣特性

• ?絕對最大額定值?：VDD=30V，輸出驅動電流峰值±1A
• ?推薦工作條件?：VDD=28V，輸出驅動電壓=28V，工作結溫-40°C至125°C（UCC28C5x），0°C至85°C（UCC38C5x）
• ?低工作電流?：在52kHz時僅為1.3mA
• ?高精度?：內部參考電壓精度±1%，UVLO和DMAX的多種選項

5. 應用信息

• ?應用領域?：包括但不限于AC-DC或DC-DC固定頻率電流模式控制方案
• ?可替換性?：UCCx8C5x可直接替換UCCx8C4x，設計步驟相同

6. 典型應用

• ?離線應用?：如使用UCC38C44的典型離線應用
• ?正向轉換器?：提供48V至3.3V輸出，效率超過85%

7. 設計與實現

• ?詳細設計步驟?：包括輸入電容、變壓器設計、電流感應網絡、柵極驅動電阻等的設計
• ?布局指南?：強調最小化高頻功率環面積，優化反饋路徑和旁路電容的放置

8. 支持與文檔

• ?文檔資源?：包括相關文檔、設計資源、應用或其他設計建議
• ?社區支持?：TI E2E?支持論壇提供快速驗證答案和設計幫助