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LM5022-Q1系列 6-60V 寬輸入電壓、電流模式升壓、SEPIC 和反激式控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-03-24 16:15 ? 次閱讀
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LM5022-Q1 是一款高電壓低側(cè) N 溝道 MOSFET 控制器,非常適合用于 升壓和 SEPIC 穩(wěn)壓器。它包含實(shí)現(xiàn)單端所需的所有功能 主要拓?fù)洹]敵鲭妷赫{(diào)節(jié)基于電流模式控制,可簡(jiǎn)化 環(huán)路補(bǔ)償設(shè)計(jì),同時(shí)提供固有的輸入電壓前饋。The LM5022-Q1 包括一個(gè)啟動(dòng)穩(wěn)壓器,可在 6 V 至 60 V 的寬輸入范圍內(nèi)工作。The PWM 控制器專為高速功能而設(shè)計(jì),包括高達(dá) 2.2 的振蕩器頻率范圍 MHz 和總傳播延遲小于 100 ns。其他功能包括誤差放大器、 精密基準(zhǔn)、線路欠壓鎖定、逐周期電流限制、斜率補(bǔ)償、 軟啟動(dòng)、外部同步功能和熱關(guān)斷。LM5022-Q1 現(xiàn)已上市 采用 10 引腳 VSSOP 封裝。
*附件:LM5022-Q1 用于升壓和 SEPIC 的 2.2MHz、60 V 低側(cè)控制器數(shù)據(jù)表.pdf

特性

  • 符合 AEC-Q100 1 級(jí)標(biāo)準(zhǔn),結(jié)果如下:
    • 器件溫度等級(jí) 1:-40°C 至 125°C
      環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類 2 級(jí)
    • 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C5
  • 內(nèi)部 60V 啟動(dòng)穩(wěn)壓器
  • 1A 峰值 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)
  • V范圍:6 V 至 60 V(啟動(dòng)后可在低至 3 V 的電壓下工作)
  • 占空比限制為 90%
  • 具有遲滯的可編程 UVLO
  • 逐周期電流限制
  • 單電阻振蕩器頻率設(shè)置
  • 可調(diào)開關(guān)頻率至 2.2MHz
  • 外部時(shí)鐘同步
  • 坡度補(bǔ)償
  • 可調(diào)軟啟動(dòng)
  • 10 引腳 VSSOP 封裝

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

  • ?型號(hào)?:LM5022-Q1
  • ?類型?:2.2MHz、60V 低側(cè)N-Channel MOSFET控制器
  • ?應(yīng)用?:適用于升壓(Boost)和單端初級(jí)電感轉(zhuǎn)換器(SEPIC)拓?fù)?/li>

2. 關(guān)鍵特性

  • ?高電壓?jiǎn)?dòng)調(diào)節(jié)器?:內(nèi)部集成60V啟動(dòng)調(diào)節(jié)器
  • ?高開關(guān)頻率?:最高可達(dá)2.2MHz
  • ?低側(cè)控制?:專為低側(cè)N-Channel MOSFET設(shè)計(jì)
  • ?多功能保護(hù)?:包括輸入欠壓鎖定(UVLO)、逐周期電流限制、熱關(guān)斷等
  • ?靈活配置?:可編程UVLO、可調(diào)開關(guān)頻率、外部時(shí)鐘同步、斜率補(bǔ)償、軟啟動(dòng)等

3. 性能參數(shù)

  • ?輸入電壓范圍?:6V至60V(啟動(dòng)后可低至3V)
  • ?最大占空比?:90%
  • ?封裝類型?:10-Pin VSSOP
  • ?操作溫度范圍?:-40°C至125°C

4. 功能描述

  • ?電流模式控制?:基于電流模式的控制,簡(jiǎn)化環(huán)路補(bǔ)償設(shè)計(jì)
  • ?內(nèi)部誤差放大器?:提供高精度的輸出電壓調(diào)節(jié)
  • ?斜率補(bǔ)償?:避免電流模式控制下的次諧波振蕩
  • ?軟啟動(dòng)功能?:減少啟動(dòng)時(shí)的電流沖擊和電壓過沖
  • ?熱關(guān)斷保護(hù)?:防止芯片因過熱而損壞

5. 應(yīng)用領(lǐng)域

  • ?升壓轉(zhuǎn)換器?:用于需要提高輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景
  • ?SEPIC轉(zhuǎn)換器?:適用于輸入輸出隔離且電壓極性不變的應(yīng)用

6. 典型應(yīng)用

  • ?電路設(shè)計(jì)?:提供了詳細(xì)的升壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)步驟,包括元件選型、參數(shù)計(jì)算等
  • ?效率優(yōu)化?:通過合理選擇電感、電容和MOSFET等元件,實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率

7. 布局指南

  • ?關(guān)鍵布局原則?:詳細(xì)說明了PCB布局中的關(guān)鍵點(diǎn),如電源路徑、地線布局、濾波電容放置等
  • ?減小噪聲干擾?:提供了減小電磁干擾(EMI)和噪聲干擾的布局建議
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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