概述
ADMV1012 是一款采用緊湊的砷化鎵(GaAs)設計、單芯片微波集成電路(MMIC)雙邊帶(DSB)下變頻器，采用符合RoHS標準的封裝，針對輸入頻率范圍為17.5 GHz至24 GHz的點對點微波無線電設計進行優化。

ADMV1012提供15 dB的轉換增益、25 dB的鏡像抑制性能和2.5 dB噪聲指數。ADMV1012采用射頻(RF)低噪聲放大器(LNA)，后接由驅動放大器驅動集成×2乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)雙平衡混頻器。它具有IF1和IF2正交混頻器輸出，所需外部90°混合型器件用于選擇所需邊帶。

I/Q 混頻器拓撲結構則降低了干擾邊帶濾波要求。ADMV1012為混合型DSB下變頻器的小型替代器件，無需線焊，可以使用表貼制造裝配。

ADMV1012 下變頻器采用緊湊的散熱增強型、4.9 mm × 4.9 mm、32引腳LCC封裝。ADMV1012工作溫度范圍為?40°C至+85°C。
數據表：*附件：ADMV1012 17.5GHz至24GHz、GaAs、MMIC、I Q下變頻器技術手冊.pdf

應用

• 點對點微波無線電
• 雷達和電子戰系統
• 儀器儀表、自動測試設備 (ATE)
• 衛星通信

特性

• RF 輸入頻率范圍：17.5 GHz 至 24 GHz
• IF 輸出頻率范圍：2.5 GHz 至 3.5 GHz
• LO 輸入頻率范圍：7 GHz 至 13.5 GHz
• 轉換增益（混合器件）：15 dB（典型值）
• SSB 噪聲指數：2.5 dB（典型值）
• 輸入 IP3：3 dBm（典型值）
• 輸入 P1dB：?5 dBm（典型值）
• 20 dB 鏡頻抑制
• 單端 50 Ω RF 和 LO 輸入端口
• 裸露焊盤、4.9 mm × 4.9 mm、32引腳LCC封裝

框圖

引腳配置描述

典型性能特征

應用信息

評估板和典型應用電路針對低側本振（LO）（上邊帶）性能進行了優化，采用 Mini - Circuit QCN - 45+ RF 90° 混合耦合器。由于這些混頻器是雙平衡混頻器，ADMV1012 可支持中頻 （IF）。

典型應用電路

典型應用電路如圖 34 所示。圖中的應用電路已在評估板電路中復現。

評估板信息

應用中使用的電路板必須采用射頻電路設計技術。信號線必須具有50Ω的阻抗，封裝接地引腳和外露焊盤應直接連接到接地層，類似于圖35和圖36中所示。使用足夠數量的過孔連接頂層和底層接地層。圖34中所示的評估電路板可根據需求從亞德諾半導體（Analog Devices）獲取。

布局

將ADMV1012底面的外露焊盤焊接到具有低熱阻和低電阻抗的接地平面上。此焊盤通常焊接到評估板上阻焊層的外露開口處。將該接地連接到評估板上的所有其他接地層，以實現最大散熱效果。圖35展示了ADMV1012 - EVALZ的印刷電路板（PCB）焊盤圖形，圖36展示了ADMV1012 - EVALZ評估板的鋼網模板。
上電順序

設置ADMV1012 - EVALZ，可按以下步驟操作：

1. 用 - 1.8V電源為VGRF供電。
2. 用3V電源為VDRF供電。
3. 用3V電源為VDLO供電。
4. 在 - 1.8V至 - 0.4V之間調節VGRF電源，直到IDREF = 68 mA。
5. 將LOIN連接到本振（LO）信號發生器，LO功率為上邊帶 - 4dBm至 + 4dBm。
6. 對于上邊帶，在IF_OUTPUT_LSB連接器上連接一個50Ω終端；對于下邊帶，在IF_OUTPUT_USB連接器上連接一個50Ω終端。
7. 將射頻（RF）信號施加到RF_INPUT和LO_INPUT端口。
   斷電順序

關閉ADMV1012 - EVALZ，可按以下步驟操作：

1. 關閉LO和RF信號。
2. 將VGRF設置為 - 1.8V。
3. 將VDRF電源設置為0V，然后關閉VDRF電源。
4. 將VDLO電源設置為0V，然后關閉VDLO電源。
5. 關閉VGRF電源。