概述
ADMV1014是一款采用硅鍺(SiGe)設(shè)計(jì)的寬帶、微波下變頻器，針對(duì)點(diǎn)到點(diǎn)微波無線電設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化，工作頻率范圍為24 GHz至44 GHz。

該下變頻器提供兩種頻率轉(zhuǎn)換模式。該器件能夠從正交解調(diào)直接變頻為基帶IQ輸出信號(hào)，并從鏡像抑制下變頻為復(fù)中頻輸出載波頻率。基帶輸出可采用直流耦合，或更典型的是，IQ輸出將使用足夠低的高通轉(zhuǎn)折頻率進(jìn)行交流耦合，以確保充足的解調(diào)精度。SPI接口可對(duì)正交相位進(jìn)行微調(diào)，使用戶能夠優(yōu)化IQ解調(diào)性能。另一方面，可以禁用基帶IQ輸出，且I/Q信號(hào)可通過片內(nèi)有源巴倫提供兩個(gè)單端復(fù)中頻輸出（800至6000MHz）。用作鏡像抑制下變頻器時(shí)，不需要的鏡像項(xiàng)通常會(huì)被抑制，比所需邊帶低25dBc。ADMV1014提供靈活的LO系統(tǒng)，包括LO輸入頻率范圍高達(dá)47 GHz的頻率四倍選項(xiàng)，以覆蓋24至44GHz的RF輸入范圍。提供平方律功率檢波器，以便監(jiān)控混頻器輸入端上的功率電平。檢波器輸出可用于通過外部運(yùn)算放大器誤差積分器電路選項(xiàng)提供對(duì)RF輸入可變衰減器的閉環(huán)控制。

ADMV1014下變頻器采用緊湊的散熱增強(qiáng)型、5 mm × 5 mm倒裝芯片CSP封裝。ADMV1014工作殼溫范圍為?40°C至+85°C。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADMV1014 24GHz至44GHz、寬帶、微波下變頻器技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)微波無線電
• 雷達(dá)、電子戰(zhàn)系統(tǒng)
• 儀器儀表、自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)

特征

• 寬帶RF輸入頻率范圍：24 GHz至44 GHz
• 2種下變頻模式
  • 從RF至基帶I/Q直接變頻
  • 鏡像抑制下變頻為復(fù)中頻
• LO輸入頻率范圍：5.4 GHz至10.25 GHz
• LO四倍頻器較高可達(dá)41 GHz
• 匹配50 Ω、單端RF輸入和復(fù)中頻輸出
• 匹配100 Ω平衡或50 Ω單端LO輸入之間的選項(xiàng)
• 具有可調(diào)輸出共模電壓電平的100 Ω平衡基帶I/Q輸出阻抗
• 鏡像抑制優(yōu)化
• 用于設(shè)置混頻器輸入功率的平方律功率檢波器
• 用于接收器功率控制的可變衰減器
• 可通過四線式SPI接口編程
• 32引腳、5 mm × 5 mm LGA封裝
  功能框圖
  
  引腳配置
  
  典型性能特征
  
  回波損耗和隔離
  RF幅度= -30 dBm，測(cè)量在0 mV直流偏置下進(jìn)行。除非另有說明，否則VCC _混頻器= VCC _夸德= VCC _ BG = VCC _ LNA = VCC _ VGA = VCC _ IF _ BB = 3.3V，DVDD = VCC_VVA = 1.8 V，寄存器Ox0B設(shè)置為Ox727C，寄存器Ox03的位[13:12]設(shè)置為11，TA = 25 ℃。除非另有說明，中頻模式下的測(cè)量采用90°混合模式，寄存器0x03的位11 = 0，寄存器0x03的位8 = 1。除非另有說明，I/Q模式下的測(cè)量結(jié)果是I和Q通道的合成結(jié)果，Vcu = 1.15 V，寄存器0x03的位11 = 1，寄存器0x03的位8 = 0。