概述
HMC8191是一款無源、寬帶I/Q單芯片微波集成電路(MMIC)混頻器，可用作接收器鏡像抑制混頻器或發射器單邊帶上變頻器。HMC8191具有6 GHz至26.5 GHz的射頻(RF)和本振(LO)范圍以及DC至5 GHz的中頻(IF)帶寬，非常適合需要寬頻率范圍、出色RF性能、簡單設計以及更少元件和小尺寸印刷電路板(PCB)的應用。單個HMC8191可取代設計中的多個窄帶混頻器。

HMC8191的固有I/Q架構具有出色的鏡像抑制能力，因此無需進行成本高昂的干擾邊帶濾波。該混頻器還提供出色的LO至RF和LO至IF隔離性能，并降低了LO泄漏的影響以確保信號完整性。

作為一款無源混頻器，HMC8191無需任何直流電源。相比有源混頻器，它提供較低的噪聲指數，從而確保針對高性能和精密應用具有出色的動態范圍。

HMC8191采用砷化鎵(GaAs)金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝制造，使用ADI公司的混頻器單元和90度混合器件。HMC8191提供緊湊型、4 mm × 4 mm、24引腳無鉛芯片載體(LCC)封裝，工作溫度范圍為?40°C至+85°C。HMC8191評估板還可通過ADI網站獲得。
數據表：*附件：HMC8191 6GHz至26.5GHz、寬帶I Q混頻器技術手冊.pdf

應用

• 測試與測量儀器儀表
• 軍事、航空航天和防務應用
• 微波點對點基站

特性

• 無源寬帶I/Q混頻器
• RF和LO范圍：6 GHz至26.5 GHz
• 寬IF帶寬：DC至5 GHz
• 單端RF、LO和IF
• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• 鏡像抑制：25 dBc（典型值）
• 單邊帶噪聲指數：9 dB（典型值）
• 輸入IP3（下變頻器）：24 dBm（典型值）
• 輸入P1dB壓縮點（下變頻器）：15 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：40 dB（典型值）
• RF至IF隔離：20 dB（典型值）
• 幅度平衡：±0.5 dB（典型值）
• 相位平衡（下變頻器）：±5°（典型值）
• RF回波損耗：15 dB（典型值）
• LO回波損耗：15 dB（典型值）
• IF回波損耗：15 dB（典型值）
• 裸露焊盤、4 mm × 4 mm、24引腳陶瓷LCC 封裝

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

應用信息

圖149展示了HMC8191的典型應用電路。要選擇合適的邊帶，需要一個外部90°混合耦合器。對于不需要直流工作的應用，使用片外隔直電容。對于需要抑制輸出端本振（LO）信號的應用，如圖149所示，使用偏置三通或射頻饋電。確保每個中頻（IF）端口用于本振抑制的源電流或灌電流小于1毫安，以防止損壞器件。每個中頻端口的共模電壓為0V。

若用作上變頻器來選擇上邊帶，將IF1引腳連接到混合耦合器的90°端口，IF2引腳連接到混合耦合器的0°端口。若選擇下邊帶，將IF1引腳連接到混合耦合器的0°端口，IF2引腳連接到混合耦合器的90°端口。輸入來自混合耦合器的和端口，差端口接50Ω終端。

若用作下變頻器且本振處于低端（low - side LO）來選擇上邊帶，將IF1引腳連接到混合耦合器的0°端口，IF2引腳連接到混合耦合器的90°端口。若本振處于高端（high - side LO）來選擇下邊帶，將IF1引腳連接到混合耦合器的90°端口，IF2引腳連接到混合耦合器的0°端口。輸出來自混合耦合器的和端口，差端口接50Ω終端。