概述

HMC8192是一款無源、寬帶、同相/正交(I/Q)、單芯片微波集成電路(MMIC)混頻器，可用作接收器鏡像抑制混頻器或發(fā)射器單邊帶上變頻器。HMC8192LG具有20 GHz至42 GHz的射頻(RF)和本振(LO)范圍以及DC至5 GHz的中頻(IF)帶寬，非常適合需要寬頻率范圍、出色RF性能、簡單設計以及更少元件和小尺寸印刷電路板(PCB)的應用。單個HMC8192LG可取代設計中的多個窄帶混頻器。

HMC8192LG的固有I/Q架構具有出色的鏡像抑制能力，而無需進行成本高昂的干擾邊帶濾波。該混頻器還提供出色的LO至RF和LO至IF隔離性能，并降低了LO泄漏的影響以確保信號完整性。

作為一款無源混頻器，HMC8192LG無需任何直流電源。相比有源混頻器，HMC8192LG提供較低的噪聲系數(shù)，從而確保針對高性能和精密應用具有出色的動態(tài)范圍。

HMC8192LG采用砷化鎵(GaAs)、金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝制造，使用ADI公司的混頻器單元和90°混合器件。HMC8192LG提供緊湊型、4.00 mm × 4.00 mm、25引腳基板柵格陣列腔(LGA_CAV)封裝，工作溫度范圍為?40°C至+85°C。HMC8192LG評估板EV1HMC8192LG還可通過ADI公司網(wǎng)站獲得。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC8192 20GHz至42GHz，寬帶I Q混頻器技術手冊.pdf
特性

• 無源寬帶I/Q混頻器
• RF和LO范圍：20 GHz至42 GHz
• 寬IF帶寬：DC至5 GHz
• 單端RF、LO和IF
• 轉換損耗：9 dB（典型值，20 GHz至32 GHz）
• 鏡像抑制：25 dBc（典型值，20 GHz至32 GHz）
• 噪聲系數(shù)：12 dB（典型值）
• 輸入IP3（下變頻器）：24 dBm（典型值，20 GHz至32 GHz）
• 輸入P1dB（下變頻器）壓縮：17 dBm（典型值，20 GHz至32 GHz）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值，20 GHz至32 GHz）
• LO至RF隔離：42 dB，20 GHz至32 GHz
• LO至IFx隔離：45 dB，20 GHz至32 GHz
• RF至IF隔離：35 dB，20 GHz至32 GHz
• 幅度平衡：±1 dB（典型值）
• 相位平衡（下變頻器）：±8°（典型值）
• RF回波損耗：12 dB（典型值）
• LO回波損耗：10 dB（典型值）
• IFx回波損耗：20 dB（典型值）
• 裸露焊盤、4.00 mm × 4.00 mm、25引腳LGA_CAV封裝

應用

• 測試與測量儀器儀表
• 軍事、雷達、航空航天和防務應用
• 微波點對點基站

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

應用
圖49展示了HMC8192 - Die的典型應用電路。若要選擇下邊帶，將IF1引腳連接到90°混合耦合器的0°端口，IF2引腳連接到90°端口。輸入連接到混合耦合器的和端口，差分端口端接50Ω。為選擇合適的邊帶，需要一個外部90°混合耦合器。對于直流應用，不需要隔直電容。

若要抑制輸出端的本振（LO）信號，如圖49所示，使用偏置器或射頻（RF）饋電。確保每個IFx的電流消耗小于3毫安，以防止器件損壞。每個IFx端口的共模電壓為0V。

當HMC8192 - Die用作下變頻器時，若要選擇上邊帶（低側本振），將IF1引腳連接到90°混合耦合器的0°端口，IF2引腳連接到90°端口。若要選擇下邊帶（高側本振），將IF1引腳連接到90°混合耦合器的90°端口，IF2引腳連接到0°端口。輸出連接到混合耦合器的和端口，差分端口端接50Ω。

當HMC8192 - Die用作上變頻器時，若要選擇上邊帶，將IF1引腳連接到90°混合耦合器的90°端口，IF2引腳連接到0°端口。