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閂鎖效應的形成原理和測試流程

上海季豐電子 ? 來源:上海季豐電子 ? 2025-07-03 16:20 ? 次閱讀
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01Latch up概念

在CMOS電路中,存在寄生的PNP和NPN晶體管,它們相互影響在VDD與GND間產生一低阻通路,形成大電流,燒壞芯片,這就是閂鎖效應,簡稱latch-up。

02重要性

隨著IC特征尺寸越來越小,集成度越來越高,閂鎖效應發生的可能性越來越高,這個現象極為重要,因為它有可能導致整個芯片徹底報廢。所以,在質量檢測(QUAL測試)中,latch-up是一個必須檢查的項目,而且它和靜電放電(ESD)防護也是密切相關的

03形成原理

晶體管之間存在PN結。當一個PNP晶體管的集電極連接到NPN晶體管的基極時,如果結反向偏置電壓超過一定閾值,就會發生Latch-up現象,如圖表1所示。

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▲圖表1

正常工作情況下,三極管是截止的,不會發生Latch up現象。受到外界來自電源,I/O,ESD靜電泄放的干擾時,當一個PNP晶體管被激活時,它通過連接的NPN晶體管的基極轉導電流,導致NPN晶體管也被激活,形成一個正反饋回路,電流在這個結構里面不斷放大,最終超過芯片承受范圍,使得芯片被燒壞。

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▲圖表2

圖中電路結構左半部分相當于一個P管放大電路,右半部分相當于一個N管放大電路,且它們的輸入輸出首尾相連,形成一個正反饋環路。當受到干擾時,PNP管打開,PNP管輸出端產生電流I1,I1流經NPN管放大成I2又輸入到PNP管的基極,從而導致PNP管的輸出端電流I1繼續增加,I1增加又導致經NPN管放大后的I2增加,從而形成正反饋環路,電流不斷增加。

電路中出現一個低電阻的路徑(圖表2紅色線條所示),導致異常電流流過,這會導致電路失去控制,可能導致器件的損壞或電路功能的失效。

04測試流程

Latch-up測試是集成電路可靠性測試的重要項目之一,主要用于檢測芯片在異常電壓或電流條件下是否會出現閂鎖效應(Latch-up)。

1測試標準

Latch up測試主要依據JESD78F標準進行測試,該標準中將Latch-up測試分為電流測試(I-test) 和電壓測試(V-test)。

2測試準備條件

(1)測試溫度(室溫25℃或特殊溫度);

(2)芯片引腳定義(POWER , GND , INPUT, OUTPUT ,I/O) ;

(3)供電引腳(POWER)及IO引腳(INPUT, OUTPUT ,I/O) 的最大工作電壓。

3測試內容

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▲圖表3

上表為測試閂鎖效應的條件及分類:正向電流測試≥100 mA ;負電流測試≥ -100 mA ;電壓測試1.5VCCmax或者MSV, 其中MSV表示(Maximum Stress Voltage)最大允許工作電壓。

電流測試 I-test,用于測試非電源管腳;電壓測試 V-test 用于測試電源管腳。其中I-test又有正向注入/負向抽取兩種,正向注入電流會使得端口電壓升高,負向抽取電流會使得端口電壓降低。

V-test的測試流程

(1)對所有輸出和I/O懸空,所有輸入管腳置于高電平偏置,所有VDD分別加電為對應的Vmax電壓,測量各VDD到GND的漏電流I-pre。

(2)對待測管腳施加V-test源,觸發電壓取1.5×VCCmax或MSV,觸發時間一般取10ms。

(3)去除觸發源后將被測管腳復原,測量漏電流I-post,進行失效判斷。

(如果I-pre≤25mA, 失效標準為I-post> I-pre+ 10 mA;如果I-pre> 25 mA,失效標準為I-post> 1.4 × I-pre)

(4)如果沒有發生Latch-up,對所有輸出和I/O懸空,將所有輸入管腳都置于低電平偏置,所有VDD分別加電為對應的Vmax電壓,測量各VDD到GND的漏電流I-pre,重復實驗。

(5)重復以上步驟,直到每個電源Vsupply管腳(或管腳組合)都通過測試。

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▲圖表4

圖表4為V-test波形。

I-test的測試流程

(1) 對所有非待測的輸出和I/O懸空,所有輸入管腳置于高電平偏置,所有VDD分別置于對應的Vmax電壓

(2)測量各VDD到GND的漏電流I-pre。

(3)對待測管腳施加I-test源,正電流觸發限壓取該測試管腳的1.5 × VmaxOP,負電流觸發限壓取該測試管腳的-0.5×Vmax,觸發時間一般取10ms。

(4)去除觸發源后將被測管腳復原,測量漏電流I-post,進行失效判斷。

(如果I-pre≤25mA, 失效標準為I-post> I-pre+ 10 mA;如果I-pre> 25 mA,失效標準為I-post> 1.4 × I-pre)

(5)如果沒有發生Latch-up,對所有未接受測試的輸出和I/O懸空,將所有輸入管腳都置于低電平偏置,所有VDD分別加電為對應的Vmax電壓,測量各VDD到GND的漏電流I-pre,重復實驗。

(6)重復以上步驟,直到所有IO管腳都通過測試(除待測試管腳外的其他非輸入的IO管腳均懸空)。

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▲圖表5

圖表5為I-test的正電流及負電流測試波形

特殊功能管腳

某些芯片會具有特殊的功能管腳,例如LDO管腳既可作為電源管腳也可作為輸出管腳,這些芯片的管腳能為其他芯片或器件提供偏置。而針對這類管腳,使用I-test還是V-test需要根據實際應用情況來確定。

北京季峰檢測技術有限公司ESD 實驗室始終秉持科學、嚴謹、專業的態度,致力于為廣大客戶提供一流的 HBM、MM、Latch-up 檢測認證服務。我們深知產品質量和可靠性對于企業的重要性,因此不斷提升自身技術水平和服務能力,與您攜手共進,共同應對電子產品在靜電和閂鎖效應方面的挑戰。選擇北京季峰 ESD 實驗室,就是選擇放心,選擇品質,讓我們一起為打造更可靠、更耐用的電子產品而努力。

北京季峰檢測技術有限公司是上海季豐的控股子公司,位于北京市海淀區豐豪東路9號院2D樓。

主要服務能力:

(1)ESD測試:HBM、CDM、MM、Latchup;

(2)失效分析:開蓋、去層、研磨、2D/3D OM、2D X-Ray、手動探針臺、SAT、IV curve測試、WireBonding、Thermal、InGaAs、OBIRCH、SEM/EDS、DB FIB、Nanoprober、TEM等;

同時可承接RA、ATE LB、可靠性板子設計制作、ASSY快速封裝、材料分析、ATE回測及測試程序開發、車規可靠性實驗等業務,交由上海季豐完成。

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季豐電子

季豐電子成立于2008年,是一家聚焦半導體領域,深耕集成電路檢測相關的軟硬件研發及技術服務的賦能型平臺科技公司。公司業務分為四大板塊,分別為基礎實驗室、軟硬件開發、測試封裝和儀器設備,可為芯片設計、晶圓制造封裝測試、材料裝備等半導體產業鏈和新能源領域公司提供一站式的檢測分析解決方案。

季豐電子通過國家級專精特新“小巨人”、國家高新技術企業、上海市“科技小巨人”、上海市企業技術中心、研發機構、公共服務平臺等企業資質認定,通過了ISO9001、 ISO/IEC17025、CMA、CNAS、IATF16949、ISO/IEC27001、ISO14001、ISO45001、ANSI/ESD S20.20等認證。公司員工超1000人,總部位于上海,在浙江、北京、深圳、成都等地設有子公司。

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原文標題:閂鎖效應—Latch up

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