01Latch up概念
在CMOS電路中,存在寄生的PNP和NPN晶體管,它們相互影響在VDD與GND間產生一低阻通路,形成大電流,燒壞芯片,這就是閂鎖效應,簡稱latch-up。
02重要性
隨著IC特征尺寸越來越小,集成度越來越高,閂鎖效應發生的可能性越來越高,這個現象極為重要,因為它有可能導致整個芯片徹底報廢。所以,在質量檢測(QUAL測試)中,latch-up是一個必須檢查的項目,而且它和靜電放電(ESD)防護也是密切相關的
03形成原理
晶體管之間存在PN結。當一個PNP晶體管的集電極連接到NPN晶體管的基極時,如果結反向偏置電壓超過一定閾值,就會發生Latch-up現象,如圖表1所示。
▲圖表1
正常工作情況下,三極管是截止的,不會發生Latch up現象。受到外界來自電源,I/O,ESD靜電泄放的干擾時,當一個PNP晶體管被激活時,它通過連接的NPN晶體管的基極轉導電流,導致NPN晶體管也被激活,形成一個正反饋回路,電流在這個結構里面不斷放大,最終超過芯片承受范圍,使得芯片被燒壞。
▲圖表2
圖中電路結構左半部分相當于一個P管放大電路,右半部分相當于一個N管放大電路,且它們的輸入輸出首尾相連,形成一個正反饋環路。當受到干擾時,PNP管打開,PNP管輸出端產生電流I1,I1流經NPN管放大成I2又輸入到PNP管的基極,從而導致PNP管的輸出端電流I1繼續增加,I1增加又導致經NPN管放大后的I2增加,從而形成正反饋環路,電流不斷增加。
電路中出現一個低電阻的路徑(圖表2紅色線條所示),導致異常電流流過,這會導致電路失去控制,可能導致器件的損壞或電路功能的失效。
04測試流程
Latch-up測試是集成電路可靠性測試的重要項目之一,主要用于檢測芯片在異常電壓或電流條件下是否會出現閂鎖效應(Latch-up)。
1測試標準
Latch up測試主要依據JESD78F標準進行測試,該標準中將Latch-up測試分為電流測試(I-test) 和電壓測試(V-test)。
2測試準備條件
(1)測試溫度(室溫25℃或特殊溫度);
(2)芯片引腳定義(POWER , GND , INPUT, OUTPUT ,I/O) ;
(3)供電引腳(POWER)及IO引腳(INPUT, OUTPUT ,I/O) 的最大工作電壓。
3測試內容
▲圖表3
上表為測試閂鎖效應的條件及分類:正向電流測試≥100 mA ;負電流測試≥ -100 mA ;電壓測試1.5VCCmax或者MSV, 其中MSV表示(Maximum Stress Voltage)最大允許工作電壓。
電流測試 I-test,用于測試非電源管腳;電壓測試 V-test 用于測試電源管腳。其中I-test又有正向注入/負向抽取兩種,正向注入電流會使得端口電壓升高,負向抽取電流會使得端口電壓降低。
V-test的測試流程
(1)對所有輸出和I/O懸空,所有輸入管腳置于高電平偏置,所有VDD分別加電為對應的Vmax電壓,測量各VDD到GND的漏電流I-pre。
(2)對待測管腳施加V-test源,觸發電壓取1.5×VCCmax或MSV,觸發時間一般取10ms。
(3)去除觸發源后將被測管腳復原,測量漏電流I-post,進行失效判斷。
(如果I-pre≤25mA, 失效標準為I-post> I-pre+ 10 mA;如果I-pre> 25 mA,失效標準為I-post> 1.4 × I-pre)
(4)如果沒有發生Latch-up,對所有輸出和I/O懸空,將所有輸入管腳都置于低電平偏置,所有VDD分別加電為對應的Vmax電壓,測量各VDD到GND的漏電流I-pre,重復實驗。
(5)重復以上步驟,直到每個電源Vsupply管腳(或管腳組合)都通過測試。
▲圖表4
圖表4為V-test波形。
I-test的測試流程
(1) 對所有非待測的輸出和I/O懸空,所有輸入管腳置于高電平偏置,所有VDD分別置于對應的Vmax電壓
(2)測量各VDD到GND的漏電流I-pre。
(3)對待測管腳施加I-test源,正電流觸發限壓取該測試管腳的1.5 × VmaxOP,負電流觸發限壓取該測試管腳的-0.5×Vmax,觸發時間一般取10ms。
(4)去除觸發源后將被測管腳復原,測量漏電流I-post,進行失效判斷。
(如果I-pre≤25mA, 失效標準為I-post> I-pre+ 10 mA;如果I-pre> 25 mA,失效標準為I-post> 1.4 × I-pre)
(5)如果沒有發生Latch-up,對所有未接受測試的輸出和I/O懸空,將所有輸入管腳都置于低電平偏置,所有VDD分別加電為對應的Vmax電壓,測量各VDD到GND的漏電流I-pre,重復實驗。
(6)重復以上步驟,直到所有IO管腳都通過測試(除待測試管腳外的其他非輸入的IO管腳均懸空)。
▲圖表5
圖表5為I-test的正電流及負電流測試波形
特殊功能管腳
某些芯片會具有特殊的功能管腳,例如LDO管腳既可作為電源管腳也可作為輸出管腳,這些芯片的管腳能為其他芯片或器件提供偏置。而針對這類管腳,使用I-test還是V-test需要根據實際應用情況來確定。
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原文標題:閂鎖效應—Latch up
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CMOS的閂鎖效應:Latch up的原理分析

淺談IGBT的閂鎖效應

閂鎖效應的工作原理

什么是閂鎖效應?
對 閂鎖效應 的一些理解
IGBT中的閂鎖效應到底是什么

單片機發生閂鎖效應的因素,如何防止發生單片機閂鎖效應?
芯片失效機理之閂鎖效應

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