概述
HMC7912LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q上變頻器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的低應(yīng)力注射成型塑料SMT封裝。 該器件提供14 dB的小信號轉(zhuǎn)換增益和18 dBc的邊帶抑制性能。 HMC7912LP5E采用RF放大器工作，前接由驅(qū)動放大器驅(qū)動LO的I/Q混頻器。 還提供IF1和IF2混頻器輸入，需通過外部90°混合選擇所需的邊帶。 I/Q混頻器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)則降低了干擾邊帶濾波要求。 HMC7912LP5E為混合型單邊帶上變頻器的小型替代器件，它無需線焊，可以使用表貼制造技術(shù)。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC7912 GaAs MMIC I Q上變頻器技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• 點對點和點對多點無線電
• 軍用雷達(dá)、EW和ELINT
• 衛(wèi)星通信
• 傳感器

特性

• 轉(zhuǎn)換增益：15 dB（典型值）
• 邊帶抑制：22 dBc（典型值）
• 針對1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率：4 dBm（典型值）
• 輸出三階交調(diào)截點(OIP3)：33 dBm（典型值）
• RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：5 dBm（典型值）
• 中頻(IF)輸入端2倍LO泄漏：-35 dBm（典型值）
• RF回波損耗：15 dB（典型值）
• LO回波損耗：15 dB（典型值）
• 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

工作原理

HMC7911 是一款基于砷化鎵（GaAs）贗配高電子遷移率晶體管（pHEMT）技術(shù)的單片微波集成電路（MMIC）正交（I/Q）上變頻器，集成了本振緩沖器。該上變頻器可將中頻信號轉(zhuǎn)換為 21GHz 至 24GHz 之間的射頻頻率。芯片上集成了 3.5GHz 的本振緩沖放大器，典型的本振驅(qū)動電平只需 4dBm，就能實現(xiàn)全性能工作。本振路徑采用了一個四級移相器，之后是片內(nèi)巴倫，驅(qū)動無源混頻器中的 I 和 Q 正交混頻核心。

射頻輸出信號隨后通過片內(nèi)威爾金森功率合成器進(jìn)行合成，并經(jīng)過相對匹配處理，以提供單端 50Ω 輸出信號，該信號由射頻放大器進(jìn)行放大，在 RFOUT 端口輸出的射頻信號是 50Ω 匹配的。在射頻放大器之前有一個電壓衰減器，用于實現(xiàn)所需的增益控制。

功率檢測器提供了本振抵消功能，其電平為 - 10dBm。上變頻器電路架構(gòu)的功能框圖如圖 82 所示。