優(yōu)勢和特點(diǎn)

• 轉(zhuǎn)換增益：15 dB（典型值）
• 邊帶抑制：22 dBc（典型值）
• 針對1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率：4 dBm（典型值）
• 輸出三階交調(diào)截點(diǎn)(OIP3)：33 dBm（典型值）
• RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：5 dBm（典型值）
• 中頻(IF)輸入端2倍LO泄漏：-35 dBm（典型值）
• RF回波損耗：15 dB（典型值）
• LO回波損耗：15 dB（典型值）
• 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝

產(chǎn)品詳情

HMC7912LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q上變頻器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的低應(yīng)力注射成型塑料SMT封裝。 該器件提供14 dB的小信號轉(zhuǎn)換增益和18 dBc的邊帶抑制性能。 HMC7912LP5E采用RF放大器工作，前接由驅(qū)動(dòng)放大器驅(qū)動(dòng)LO的I/Q混頻器。 還提供IF1和IF2混頻器輸入，需通過外部90°混合選擇所需的邊帶。 I/Q混頻器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)則降低了干擾邊帶濾波要求。 HMC7912LP5E為混合型單邊帶上變頻器的小型替代器件，它無需線焊，可以使用表貼制造技術(shù)。

應(yīng)用

• 點(diǎn)對點(diǎn)和點(diǎn)對多點(diǎn)無線電
• 軍用雷達(dá)、EW和ELINT
• 衛(wèi)星通信
• 傳感器

方框圖