概述
LTC5590 隸屬于一個覆蓋 600MHz 至 4.5GHz RF 頻率范圍的雙通道、高動態范圍、高增益下變頻混頻器系列。LTC5590專為 600MHz 至 1.7GHz RF 應用而優化。LO 頻率必須位于 700MHz 至 1.5GHz 的范圍之內，以獲得較佳性能。該器件的典型應用是具有一個 700MHz 至 915MHz RF 輸入和高端 LO 的 LTE 或 GSM 接收機。

LTC5590 的高轉換增益和高動態范圍允許在高選擇性接收機設計中使用規格較寬松的 IF 濾波器，并較大限度地縮減了總體解決方案成本、板級空間和系統級偏差。這款器件還提供了一種低電流模式以實現額外的節能，而且每個混頻器通道都具有獨立的停機控制功能。
數據表：*附件：LTC5590雙通道、600MHz至1.7GHz、高動態范圍、下變頻混頻器技術手冊.pdf
應用

• 3G / 4G 無線基礎設施分集接收機 (LTE、CDMA、GSM)
• MIMO (多輸入多輸出) 基礎設施接收機
• 高動態范圍下變頻混頻器應用

特性

• 轉換增益：8.7dB (在 900MHz)
• IIP3：26dBm (在 900MHz)
• 噪聲指數：9.7dB (在 900MHz)
• 在 5dBm 隔離條件下噪聲指數 (NF) 為 15.6dB
• 高輸入 P1dB
• 53dB 通道間隔離 (在 900MHz)
• 采用 3.3V 時功耗為 1.3W
• 低電流模式：<800mW 功率損耗
• 用于每個通道的使能引腳
• 50Ω 單端 RF 和 LO 輸入
• 在所有模式中 LO 輸入匹配
• 0dBm LO 驅動電平
• 小的封裝及解決方案外形尺寸
• -40oC 至 105oC 工作溫度范圍

典型應用

引腳配置描述

引腳功能

• RFA、RFB（引腳1、6） ：分別為A通道和B通道的單端射頻輸入引腳。這些引腳內部連接到射頻輸入變壓器的初級側，其初級側對地直流電阻較低。當射頻輸入存在直流電壓時，應使用串聯隔直電容，以避免損壞集成變壓器。當LO輸入由700MHz至1.5GHz范圍內、0±6dBm的信號源驅動且混頻器啟用時，RF輸入可實現阻抗匹配。
• CTA、CTB（引腳2、5） ：分別為A通道和B通道的射頻變壓器次級中心抽頭引腳。這些引腳可能需要旁路電容來優化IIP3性能。每個引腳內部產生的偏置電壓為1.2V，必須與地和Vcc進行直流隔離。
• GND（引腳3、4、7、13、15、24，外露焊盤引腳25） ：接地引腳。這些引腳必須焊接到電路板上的射頻接地層。封裝的外露焊盤金屬層可提供與接地層的電氣連接，并且有助于良好的散熱。
• IFGNDB、IFGNDA（引腳8、23） ：分別為B通道和A通道中頻放大器的直流接地返回引腳。這些引腳必須連接到地，以構成中頻放大器的直流電流通路。可使用芯片電感來調諧本振 - 中頻（LO - IF）和射頻 - 中頻（RF - IF）泄漏。每個引腳的典型直流電流為96mA。
• IFB?、IFB?、IFA?、IFA?（引腳9、10、21、22） ：分別為B通道和A通道中頻放大器的集電極開路差分輸出引腳。這些引腳必須通過阻抗匹配電感或變壓器中心抽頭連接到直流電源。每個引腳的典型直流電流消耗為48mA。
• IFBB、IFBA（引腳11、20） ：分別為B通道和A通道中頻放大器的偏置調節引腳，可獨立調節內部中頻緩沖器電流。這些引腳上的典型直流電壓為2.2V。如果不使用，這些引腳必須與地和Vcc進行直流隔離。
• VccB和VccA（引腳12、19） ：分別為本振緩沖器和偏置電路的電源引腳。這些引腳必須連接到經過穩壓的3.3V電源，并在引腳附近連接旁路電容。每個引腳的典型電流消耗為94mA。
• ENB、ENA（引腳14、17） ：分別為B通道和A通道的使能引腳，可獨立啟用相應通道。施加大于2.5V的電壓可激活相關通道，而小于0.3V的電壓則會禁用該通道。典型的輸入電流小于10μA。這些引腳不能懸空。
• LO（引腳16） ：單端本振輸入引腳。該引腳內部連接到本振輸入變壓器的初級側，其初級側對地直流電阻較低。當本振輸入存在直流電壓時，應使用串聯隔直電容，以避免損壞集成變壓器。無論ENA和ENB處于何種狀態，本振輸入在內部均匹配到50Ω。
• I_SEL（引腳18） ：低電流選擇引腳。當該引腳被拉低（<0.3V）或懸空時，兩個通道均以正常電流電平偏置，以實現最佳射頻性能。當施加大于2.5V的電壓時，兩個通道均以降低的電流工作，從而在較低功耗下實現合理的性能。該引腳不能懸空。

框圖

典型應用