概述
ADL5350是一款高線性度、上/下變頻混頻器，能夠在較寬的輸入頻率范圍內(nèi)工作，非常適合要求高靈敏度和高效抗擾度的蜂窩基站混頻器設(shè)計。這款器件基于GaAs pHEMT、單端混頻器架構(gòu)，能提供出色的輸入線性度和低噪聲系數(shù)，而無需高功耗本機(jī)振蕩器(LO)驅(qū)動。

在850 MHz/900 MHz接收應(yīng)用中，ADL5350的典型變頻損耗僅為6.8 dB。集成的LO放大器只需一個低LO驅(qū)動電平，對于大多數(shù)應(yīng)用，其典型值僅為4 dBm。輸入IP3典型值大于25 dBm，輸入壓縮點(diǎn)為19 dBm。該器件具有高輸入線性度，因而是適合GSM 850/900和800 MHz CDMA2000等要求高抗擾度通信系統(tǒng)的出色混頻器。在2 GHz時，需要一個略微較高的電源電流才能獲得類似的性能。

借助單端寬帶RF/IF端口，該器件能夠利用簡單的外部濾波器網(wǎng)絡(luò)，針對所需工作頻帶進(jìn)行定制。LO至RF隔離基于RF端口濾波器網(wǎng)絡(luò)的LO抑制。采用更高階濾波器網(wǎng)絡(luò)可以實(shí)現(xiàn)更大的隔離，詳情參見本數(shù)據(jù)手冊的應(yīng)用信息部分。

ADL5350采用GaAs pHEMT、高性能IC工藝制造，提供3 mm x 2 mm、8引腳LFCSP封裝，工作溫度范圍為?40°C至+85°C，同時提供評估板。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADL5350低頻至4GHz高線性度Y型混頻器技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• 蜂窩基站
• 點(diǎn)對點(diǎn)無線電鏈路
• RF儀器儀表

特性

• 寬帶射頻(RF)、中頻(IF)和本機(jī)振蕩器(LO)端口
• 變頻損耗：6.8 dB
• 噪聲系數(shù)：6.5 dB
• 高輸入IP3：25 dBm
• 高輸入P1dB：19 dBm
• 低LO驅(qū)動電平
• 單端設(shè)計：無需平衡-非平衡變換器
• 單電源供電：3 V (19 mA)
• 2 mm × 3 mm、8引腳小型LFCSP封裝
• 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

框圖

引腳配置描述

典型性能特征

電路說明

ADL5350 是一款基于砷化鎵贗配高電子遷移率晶體管（GaAs pHEMT）的單端無源混頻器，集成了本振緩沖放大器。該器件依靠場效應(yīng)晶體管（FET）結(jié)處可變的溝道電導(dǎo)來調(diào)制射頻信號。簡化示意圖如圖 57 所示。

本振信號施加到基于 FET 的緩沖放大器的柵極。緩沖放大器為本振信號提供足夠增益，以驅(qū)動電阻開關(guān)。此外，反饋電路可提供 FET 所需的偏置。緩沖放大器和射頻/中頻端口共同作用，在常見的蜂窩頻率下實(shí)現(xiàn)最佳調(diào)制效率。

射頻信號和本振信號的混頻是通過以本振信號的速率切換射頻/中頻端口與地之間的溝道電導(dǎo)來實(shí)現(xiàn)的。射頻信號通過外部帶通網(wǎng)絡(luò)，以抑制鏡像頻段并降低寬帶噪聲。然后，幅度受限的射頻信號被施加到射頻/中頻端口隨時間變化的負(fù)載上，這使得射頻信號的包絡(luò)被調(diào)制，調(diào)制速率取決于本振信號的速率。需要一個濾波器網(wǎng)絡(luò)來抑制不需要的射頻信號，并將所需的射頻信號傳輸?shù)街蓄l端口。在下變頻應(yīng)用中，中頻濾波器網(wǎng)絡(luò)旨在通過差頻，并在電路中對入射射頻頻率呈現(xiàn)開路。同樣，在上變頻應(yīng)用中，濾波器旨在通過和頻，并抑制入射射頻信號。因此，混頻器的頻率響應(yīng)由外部射頻/中頻濾波器網(wǎng)絡(luò)的響應(yīng)特性決定。

實(shí)施步驟

ADL5350 是一款簡單的單端混頻器，依賴片外電路來實(shí)現(xiàn)出色的射頻動態(tài)性能。要實(shí)現(xiàn)最佳性能，應(yīng)遵循以下步驟（元件標(biāo)識見圖 58）：

表 7 列出了不同本振頻率下推薦的本振偏置電感值。為確?；祛l器有效換向，偏置電感需正確設(shè)置。對于表中所示頻率范圍之外的其他頻率，可進(jìn)行插值取值。有關(guān)該范圍之外頻率的信息，請參見“應(yīng)用信息”部分。

調(diào)諧本振端口輸入網(wǎng)絡(luò)，以實(shí)現(xiàn)最佳回波損耗。通常，使用帶通網(wǎng)絡(luò)將本振信號傳輸?shù)奖菊褫斎胍_（LOIN）。建議阻斷混頻器核心不需要的高頻本振諧波。本振諧波會導(dǎo)致下變頻過程中產(chǎn)生更高射頻頻率的鏡像信號，從而降低所需的中頻頻率，導(dǎo)致靈敏度下降。如果預(yù)期本振源的諧波失真和頻譜純度較差，則可能需要使用高階帶通濾波器網(wǎng)絡(luò)。圖 58 展示了一個簡單的本振帶通濾波器示例。電容 C3 是一個簡單的隔直電容，而電感 L3 與柵極 - 源極電容（加上緩沖放大器）一起構(gòu)成低通網(wǎng)絡(luò)。本振緩沖器（場效應(yīng)晶體管）的固有柵極輸入阻抗較高。通過反饋可以在預(yù)期本振頻率下產(chǎn)生正的回波損耗。

如果期望回波損耗優(yōu)于 -10dB，可能需要在耦合電容（C3）之前增加一個接地的并聯(lián)電阻，以降低源阻抗。在某些情況下，可能需要稍微提高本振驅(qū)動電平。

設(shè)計射頻和中頻濾波器網(wǎng)絡(luò)。圖 58 展示了用于中頻和射頻端口接口的簡單 LC 陷波濾波器網(wǎng)絡(luò)。射頻端口 LC 網(wǎng)絡(luò)旨在使射頻輸入信號通過。該串聯(lián) LC 陷波在 1/（2π√LC）頻率處發(fā)生諧振。諧振時，串聯(lián)電抗相互抵消，呈現(xiàn)出對射頻信號的串聯(lián)短路。并聯(lián) LC 陷波用于抑制中頻端口的射頻信號和本振信號。諧振時，并聯(lián) LC 陷波在理想電路中呈現(xiàn)開路。

在設(shè)計射頻、中頻和本振濾波器網(wǎng)絡(luò)時，必須考慮電路板寄生參數(shù)、有限品質(zhì)因數(shù)（Q）以及 LC 元件的自諧振頻率。表 8 提供了建議的值，以實(shí)現(xiàn)最佳性能。