概述
LT5521 是一款專為低失真和低 LO 泄漏應(yīng)用而優(yōu)化的高線性度混頻器。 該芯片包括一個(gè)具有單端輸入的高速 LO 緩沖器和一個(gè)雙平衡有源混頻器。 LT5521 只需 -5dBm 的 LO 輸入功率便可獲得超群的失真和噪聲性能,并降低了對(duì)外部驅(qū)動(dòng)電路的要求。 在內(nèi)部使 LO 緩沖器與 50Ω 阻抗相匹配,旨在實(shí)現(xiàn)寬帶操作。
在 250MHz 輸入、1.7GHz LO 和 1.95GHz 輸出頻率的條件下,該混頻器具有 +24.2dBm 的典型 IIP3、-0.5dB 轉(zhuǎn)換增益和 12.5dB 噪聲系數(shù)。
LT5521 提供了出眾的 LO-RF 隔離性能,從而使得對(duì)輸出濾波滿足 LO 抑制要求的需要大為降低。
該器件是專為在 3.15V 至 5.25V 的電源電壓范圍內(nèi)工作而設(shè)計(jì)的。
數(shù)據(jù)表:*附件:LT5521線性度非常高的有源混頻器技術(shù)手冊(cè).pdf
應(yīng)用
- 蜂窩通信、W-CDMA、PHS 和 UMTS 基礎(chǔ)設(shè)施
- 電纜下行鏈路基礎(chǔ)設(shè)施
- 無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施
- 固定無(wú)線接入設(shè)備
- 高線性度混頻器應(yīng)用
特性
- 至 3.7GHz 的寬帶輸出頻率范圍
- 在 1.95GHz RF 輸出時(shí)的 IIP3 為 +24.2dBm
- 低 LO 泄漏:-42dBm
- 集成 LO 緩沖器:低 LO 驅(qū)動(dòng)電平
- 單端 LO 驅(qū)動(dòng)
- 寬單電源范圍:3.15V 至 5.25V
- 雙平衡有源混頻器
- 停機(jī)功能
- 16 引腳 (4mm x 4mm) QFN 封裝
典型應(yīng)用
典型交流性能特征
典型交流性能特征
引腳功能
- GND(引腳1、4、10、11、13、14、16) :接地引腳。這些引腳內(nèi)部連接到裸露焊盤,以增強(qiáng)隔離效果。它們應(yīng)連接到印刷電路板上的射頻地,不過(guò)并非用于替代通過(guò)封裝背面進(jìn)行的主接地連接。
- IN + 、IN -(引腳2、3) :差分輸入引腳。每個(gè)引腳需有接地的直流電阻路徑。關(guān)于電阻值的選擇,請(qǐng)參見(jiàn)“應(yīng)用信息”。需要進(jìn)行外部匹配。
- EN(引腳5) :使能輸入引腳。使能電壓至少需達(dá)到2.9V才能開(kāi)啟芯片,低于0.2V則關(guān)閉芯片。
- VCC(引腳6、7、8) :電源引腳。這三個(gè)引腳的總電流消耗為40mA。
- OUT + 、OUT -(引腳12、9) :射頻輸出引腳。這些引腳必須與電源電壓進(jìn)行直流連接(見(jiàn)“應(yīng)用信息”)。每個(gè)引腳的電流消耗為20mA。需要進(jìn)行外部匹配。
- LO(引腳15) :本地振蕩器輸入引腳。此輸入在內(nèi)部直流偏置為0.96V。輸入信號(hào)必須進(jìn)行交流耦合。
- 裸露焊盤(引腳17) :整個(gè)芯片的電路接地端。為實(shí)現(xiàn)最佳性能,此引腳必須焊接到印刷電路板上。
框圖
應(yīng)用信息
LT5521 是一款高線性度雙平衡有源混頻器。該芯片由一個(gè)雙平衡混頻核心、一個(gè)高功率本振緩沖器以及偏置和使能電路組成。芯片設(shè)計(jì)工作電源電壓范圍為 3.15V 至 5.25V。
信號(hào)輸入接口
圖2展示了LT5521的信號(hào)輸入情況。信號(hào)輸入引腳連接到混頻器四對(duì)差分對(duì)管的共發(fā)射極節(jié)點(diǎn)。差分輸入IN - /IN + 的實(shí)部為20Ω。混頻器核心電流由外部電阻R1和R7設(shè)置,設(shè)置值為110μA,在VCC = 5V時(shí),其節(jié)點(diǎn)電壓約為2.2V。圖3展示了250MHz匹配輸入時(shí)的輸入回波損耗情況。
對(duì)于100MHz以上的輸入頻率,建議使用寬帶阻抗匹配變壓器,阻抗比為1:1。表3提供了使用M/A - COM CT0010變壓器(T1,見(jiàn)圖1)匹配不同中頻頻率的元件值。
在100MHz以下,Mini - Circuits TCM2 - 1T或Pulse CX204是更好的選擇,其輸入匹配配置如圖4所示。串聯(lián)1nF電容可保持差分對(duì)稱性,同時(shí)提供直流隔離,而這些引腳用于改善噪聲抑制。
分流電容C13(圖2)是一個(gè)可選電容,跨接在輸入引腳上,可顯著改善本振抑制。盡管本振抑制是可選的,但為了實(shí)現(xiàn)可靠的下變頻性能,根據(jù)本振頻率對(duì)該電容進(jìn)行優(yōu)化很重要。
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