概述
HMC-MDB218是一款次諧波(x2)MMIC混頻器，可用作鏡像抑制混頻器(IRM)或單邊帶上變頻器。 此款無源MMIC混頻器采用GaAs異質(zhì)結雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術制造。 針對下變頻應用，外部正交混合器件可用于選擇所需邊帶同時抑制圖像信號。

所有焊盤和芯片背面都經(jīng)過Ti/Au金屬化，Shottky器件已完全鈍化以實現(xiàn)可靠操作。 HMC-MDB218次諧波IRM可兼容常規(guī)的芯片貼裝方法，以及熱壓縮和熱超聲線焊，非常適合MCM和混合微電路應用。 此處顯示的所有數(shù)據(jù)均是芯片在50 Ohm環(huán)境下使用RF探頭接觸測得。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC-MDB218次諧波IQ混頻器 IRM芯片技術手冊.pdf

應用

• 短程/高容量無線電
• 衛(wèi)星通信
• 軍用雷達、ECM和EW
• 傳感器
• 測試和測量設備
  特性
• 寬IF帶寬： DC - 3 GHz
• RF頻率： 54至64 GHz
• LO頻率 27至32 GHz
• 高鏡像抑制： 30 dB
• 無源；無需直流偏置
• 裸片尺寸： 1.54 x 1.41 x 0.1 mm
  電氣規(guī)格
  

框圖

焊盤描述

應用電路

應用電路1展示了混頻器等效電路。應用電路2描繪了采用90°混合耦合器來實現(xiàn)信號鏡像抑制的混頻器。所有中頻（IF）參數(shù)是在中頻輸出端口配備理想90°混合耦合器的條件下規(guī)定的。在應用電路1中，將端口1和/或端口2（混頻器）端接為50歐姆后測量轉(zhuǎn)換損耗。會添加3dB（雙音）來補償理想混合耦合器的影響。三階輸入截點（IP3）以輸入IP3數(shù)值給出，它是在假定存在理想混合耦合器的情況下得出的。